Carbon nanotubes synthesized by Ni-assisted atmospheric pressure thermal chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 6, 2002, Pages 3847-3854

  Choi, G S ^a   Cho, Y S ^a   Hong, S Y ^a   Park, J B ^a   Son, K H ^a   Kim, D J ^a  

^a Chungnam National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYTIC METAL PARTICLES; GROWTH MODES; GROWTH MORPHOLOGY; POOR ADHESION; SYSTEMATIC STUDY; THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VERTICAL ALIGNMENT;

ADHESION; AMORPHOUS CARBON; ATMOSPHERIC PRESSURE; CARBON NANOTUBES; SILICIDES; TUBES (COMPONENTS); VAPORS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 0037087288     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1448877     Document Type: Article

References (19)

1. W. B. Choi, Y. W. Jin, H. Y. Kim, S. J. Lee, M. J. Yun, J. H. Kang, and Y. S. Choi, Appl. Phys. Lett. 78, 1547 (2001).
2. R. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegel, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
3. C. J. Lee, D. W. Kim, T. J. Lee, Y. C. Choi, Y. S. Park, Y. H. Lee, W. B. Choi, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Chem. Phys. Lett. 312, 461 (1999).
4. W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao, and G. Wang, Science 274, 1701 (1996).
5. S. Fan, M. Chapline, N. Franklin, T. Tombler, A. Cassell, and H. Dai, Science 283, 512 (1999).
6. M. J. Jung, K. Y. Eun, J. K. Lee, Y. T. Baik, K. R. Lee, and J. W. Park, Diamond Relat. Mater. 10, 1235 (2001).
7. K. S. Choi, Y. S. Cho, S. Y. Hong, J. B. Park, and D. J. Kim, J. Eur. Ceram. Soc. 21, 2095 (2001).
8. S. Y. Karpov, Y. N. Makarov, and M. S. Ramm, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 45 (1997).
9. X. X. Zhang, Z. Q. Li, G. H. Wen, K. K. Fung, J. Chen, and Y. Li, Chem. Phys. Lett. 333, 509 (2001).
10. H. Murakami, M. Hirakawa, C. Tananka, and H. Yamakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 1776 (2000).
11. D. C. Li, L. Dai, S. Huang, A. W. Mau, and Z. L. Wang, Chem. Phys. Lett. 316, 349 (2000).
12. M. Liu and J. M. Cowley, Mater. Sci. Eng., A 185, 131 (1994).
13. X. Ma, E. G. Wang, R. D. Tilley, and D. A. Jefferson, Appl. Phys. Lett. 77, 4136 (2000).
14. K. L. Lu, R. M. Lago, Y. K. Chen, M. L. Green, P. J. F. Harris, and S. C. Tsang, Carbon 34, 814 (1996).
15. J. B. Park, Y. S. Cho, S. Y. Hong, K. S. Choi, D. J. Kim, S. Y. Choi, S. D. Ahn, Y. H. Song, J. H. Lee, and K. I. Cho (unpublished).
16. Y. Saito and T. Yoshikawa, J. Cryst. Growth 134, 154 (1993).
17. C. J. Lee, J. H. Park, and J. H. Park, Chem. Phys. Lett. 323, 560 (2000).
18. Y. Y. Wei, G. Eres, V. I. Merkulov, and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett. 78, 1394 (2001).
19. J. Bernholc, C. Brabec, M. B. Nardelli, A. Maiti, C. Roland, and B. I. Yakobson, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A67, 39 (1998).