ALD growth characteristics of ZnS films deposited from organozinc and hydrogen sulfide precursors

Langmuir

Volumn 26, Issue 14, 2010, Pages 11899-11906

  Tanskanen, Jukka T ^a,b   Bakke, Jonathan R ^b   Bent, Stacey F ^b   Pakkanen, Tapani A ^a  

^a UNIVERSITY OF EASTERN FINLAND   (Finland)

^b Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALD GROWTH; ALKYL GROUPS; ATOMIC LAYER; EXPERIMENTAL VERIFICATION; FILM-DEPOSITION PROCESS; GROWTH CHARACTERISTIC; GROWTH MECHANISMS; GROWTH SURFACES; QUANTUM-CHEMICAL METHODS; SURFACE SPECIES; VIBRATIONAL FEATURES; ZINC SULFIDE THIN FILMS; ZINC-BLENDE; ZN DEPOSITION; ZN PRECURSORS; ZNS FILMS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHEMISORPTION; HYDROGEN; HYDROGEN SULFIDE; ORGANOMETALLICS; QUANTUM CHEMISTRY; SULFUR; SULFUR DETERMINATION; ZINC; ZINC SULFIDE;

FILM GROWTH;

EID: 77955678429     PISSN: 07437463     EISSN: 15205827     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la101128w     Document Type: Article

References (37)

1. Puurunen, R. L. J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301.
2. Suntola, T.; Antson, J. US Patent 4058430, 1977.
3. Kim, H.; Lee, H.-B.-R.; Maeng, W.-J. Thin Solid Films 2009, 517, 2563.
4. George, S. M. Chem. Rev. 2010, 110, 111.
5. Goodman, C. H. L.; Pessa, M. V. J. Appl. Phys. 1986, 60, R65.
6. Hunter, A.; Kitai, A. H. J. Cryst. Growth 1988, 91, 111.
7. Stuyven, G.; Visschere, P.; Hikavyy, A.; Neyts, K. J. Cryst. Growth 2002, 234, 690.
8. Guziewicz, E.; Godlewski, M.; Krajewski, T.; Wachnicki, Ł.; Szczepanik, A.; Kopalko, K.; Wójcik-Głodowska, A.; Przeździecka, E.; Paszkowicz, W.; Łusakowska, E.; Kruszewski, P.; Huby, N.; Tallarida, G.; Ferrari, S. J. Appl. Phys. 2009, 105, 122413.
9. Bakke., J. R.; King, J. S.; Jung, H. J.; Sinclair, R.; Bent, S. F. Thin Solid Films, in press.
10. Liu, C. H.; Yokoyama, M.; Su, Y. K. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 5416.
11. Yamaga, S.; Yoshikawa, A. J. Cryst. Growth 1992, 117, 152.
12. Zaera, F. J. Mater. Chem. 2008, 18, 3521.
13. George, S. M.; Ott, A. W.; Klaus, J. W. J. Phys. Chem. 1996, 100, 13121
14. (a) Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 5648.
15. (b) Stephens, P. J.; Devlin, F. J.; Chabalowski, C. F.; Frisch, M. J. J. Phys. Chem. 1994, 98, 11623.
16. Adamo, C.; Barone, V. J. Chem. Phys. 1999, 110, 6158.
17. (a) Weigend, F.; Häser, M. Theor. Chem. Acc. 1997, 97, 331.
18. (b) Hättig, C.; Weigend, F. J. Chem. Phys. 2000, 113, 5154.
19. (c) Hättig, C.; Hellweg, A.; Kähn, A. Phys. Chem. Chem. Phys. 2006, 8, 1159.
20. Quintal, M. M.; Karton, A.; Iron, M. A.; Boese, A. D.; Martin, J. M. L. J. Phys. Chem. A 2006, 110, 709.
21. Amin, E. A.; Truhlar, D. G. J. Chem. Theory Comput. 2008, 4, 75.
22. Sousa, S. F.; Carvalho, E. S.; Ferreira, D. M.; Tavares, I. S.; Fernandes, P. A.; Ramos, M. J.; Gomes, J. A. J. Comput. Chem. 2009, 30, 2752.
23. Gaussian 09, Revision A.02: Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Scalmani, G.; Barone, V.; Mennucci, B.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Caricato, M.; Li, X.; Hratchian, H. P.; Izmaylov, A. F.; Bloino, J.; Zheng, G.; Sonnenberg, J. L.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Vreven, T.; Montgomery, Jr., J. A.; Peralta, J. E.; Ogliaro, F.; Bearpark, M.; Heyd, J. J.; Brothers, E.; Kudin, K. N.; Staroverov, V. N.; Kobayashi, R.; Normand, J.; Raghavachari, K.; Rendell, A.; Burant, J. C.; Iyengar, S. S.; Tomasi, J.; Cossi, M.; Rega, N.; Millam, N. J.; Klene, M.; Knox, J. E.; Cross, J. B.; Bakken, V.; Adamo, C.; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Martin, R. L.; Morokuma, K.; Zakrzewski, V. G.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Farkas, Ö.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cioslowski, J.; Fox, D. J. Gaussian, Inc., Wallingford, CT, 2009.
24. Ahlrichs, R.; Bär, M.; Häser, M.; Horn, H.; Kälmel, C. Chem. Phys. Lett1989, 162, 165.
25. Dovesi, R.; Saunders, V. R.; Roetti, C.; Orlando, R.; Zicovich-Wilson, C. M.; Pascale, F.; Civalleri, B.; Doll, K.; Harrison, N. M.; Bush, I. J.; D'Arco, Ph.; Llunell, M. CRYSTAL2006 User's Manual: University of Torino: Torino, Italy, 2006.
26. Paier, J.; Marsman, M.; Kresse, G. J. Chem. Phys. 2007, 127, 024103.
27. Weigend, F.; Ahlrichs, R. Phys. Chem. Chem. Phys. 2005, 7, 3297.
28. CRYSTAL basis set library at http://www.crystal.unito.it/Basis-Sets/ Ptable.html.
29. (b) Jaffe, J. E.; Hess, A. C. Phys. Rev. B 1993, 48, 7903.
30. Lide, D. R. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 90th ed., Internet Version; CRC Press: Boca Raton, FL, 2010.
31. Cavallotti, C.; Moscatelli, D.; Masi, M.; Carra, S. J. Cryst. Growth 2004,266, 363.
32. Lynch, B. J.; Truhlar, D. G. J. Phys. Chem. A 2001, 105, 2936.
33. Luo, Y. R. Comprehensive Handbook of Chemical Bond Energies; CRC Press: Boca raton, FL, 2007
34. Pakkanen, T. A.; Nevalainen, V.; Lindblad, M.; Makkonen, P. Surf. Sci. 1987, 188, 456.
35. Farhangfar, S.; Yang, R. B.; Pelletier, M.; Nielsch, K. Nanotechnology 2009, 20, 325602.
36. Platzer-Bjärkman, C.; Tärndahl, T.; Abou-Ras, D.; Malmsträm, J.; Kessler, J.; Stolt, L. J. Appl. Phys. 2006, 100, 044506
37. Hsu, C. T. Thin Solid Films 1998, 335, 284.