Organic electronics on paper

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 14, 2004, Pages 2673-2675

  Eder, Florian ^a   Klauk, Hagen ^a   Halik, Marcus ^a   Zschieschang, Ute ^a   Schmid, Günter ^a   Dehm, Christine ^a  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; CARRIER MOBILITY; CROSSLINKING; DIELECTRIC MATERIALS; ETCHING; EVAPORATION; GATES (TRANSISTOR); OSCILLATORS (ELECTRONIC); PHENOLS; PHOTOLITHOGRAPHY; POLYETHER ETHER KETONES; POLYETHYLENE TEREPHTHALATES; SEMICONDUCTING FILMS; SIGNAL THEORY;

INTERCONNECT LAYERS; POLYMER FILMS; RADIO-FREQUENCY SPUTTERING; RING OSCILLATORS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 2342566983     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1690870     Document Type: Article

References (21)

1. A. R. Brown, A. Pomp, C. M. Hart, and D. M. de Leeuw, Science 270, 972 (1995).
2. Y. Y. Lin, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, Z. Bao, W. Li, K. Baldwin, V, R. Raju, and H. E. Katz, Appl. Phys. Lett. 74, 2714 (1999).
3. B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, R. W. Filas, Y. Y. Lin, Z. Bao, J. H. O'Neill, W. Li, and H. E. Katz, J. Appl. Phys. 89, 5125 (2001).
4. H. Klauk, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 20, 289 (1999).
5. H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo, Science 290, 2123 (2000).
6. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, K. M. Hart, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1201 (2002).
7. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
8. G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 77, 1487 (2000).
9. F. J. Touwslager, N. P. Willard, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 81, 4556 (2002).
10. M. G. Kane, J. Campi, M. S. Hammond, F. P. Cuomo, B. Greening, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, D. J. Gundlaoh, J. R. Huang, C. C. Kuo, L. Jia, H. Klauk, and T. N. Jackson, IEEE Electron Device Lett. 21, 534 (2000).
11. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
12. J. A. Rogers, Z. Bao, A. Dodabalapur, and A. Makhija, IEEE Electron Device Lett. 21, 100 (2000).
13. P. Mach, S. J. Rodriguez, R. Nortrup, P. Wiltzius, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 78, 3592 (2001).
14. J. A. Rogers, Z. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone, V. R. Raju, V. Kuck, H. Katz, K. Amundson, J. Ewing, and P. Drzaic, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 98, 4835 (2001).
15. W. Fix, A. Ullmann, J. Ficker, and W. Clemens, Appl. Phys. Lett. 81, 1735 (2002).
16. S. K. Park, Y. H. Kim, J. I. Han, D. G. Moon, and W. K. Kim, IEEE Trans. Electron Devices 49, 2008 (2002).
17. M. Wu, X. Z. Bo, J. C. Sturm, and S. Wagner, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1993 (2002).
18. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, F. Eder, G. Schmid, and C. Dehm, Appl. Phys. Lett. 82, 4175 (2003).
19. Y. Chen, J. Au, P. Kazlas, A. Ritenour, H. Gates, and J. Goodman, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 389.
20. P. Andersson, D. Nilsson, P. O. Svensson, M. Chen, A. Malmström, T. Remonen, T. Kugler, and M. Berggren, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1460 (2002).
21. D. M. de Leeuw, G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, E. van Veenendaal, E. Cantatore, and B. H. Huisman, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 293.