Plasma treatment studies of MIS devices

Central European Journal of Physics

Volumn 8, Issue 3, 2010, Pages 400-407

  Basa, Deepak Kumar ^a  

^a UTKAL UNIVERSITY   (India)

Author keywords

Elastic backscattering; Interface state density; Plasma nitridation; Plasma oxidation; Silicon nitride

Indexed keywords

EID: 77951937564     PISSN: 18951082     EISSN: 16443608     Source Type: Journal    
DOI: 10.2478/s11534-009-0095-8     Document Type: Article

References (32)

1. R. H. Dennard et al., IEEE J. Solid-St. Circ. 9, 256 (1974).
2. G. Baccarani, M. R. Wordeman, R. H. Dennard, IEEE T. Electron Dev. 31, 452 (1984).
3. P. A. Packan, Science 285, 2079 (1999).
4. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
5. M. Bose, D. K. Basa, D. N. Bose, Appl. Surf. Sci. 158, 275 (2000).
6. D. K. Basa, M. Bose, D. N. Bose, J. Appl. Phys. 87, 4324 (2000).
7. M. Bose, D. K. Basa, D. N. Bose, Appl. Surf. Sci. 171, 130 (2001).
8. M. Bose, D. K. Basa, D. N. Bose, J. Vac. Sci. Technol. A19, 41 (2001).
9. M. Bose, D. K. Basa, D. N. Bose, Material Letters 48, 336 (2001).
10. P. T. Chenetal., J. Appl. Phys. 104, 014106 (2008).
11. P. D. Kirsch, T. Lafford, Q. Wang, J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 99, 023508 (2006).
12. E. Jud, M. Tang, Y. M. Chiang, J. Appl. Phys. 103, 114108 (2008).
13. Y. Wu, G. Lucovsky, IEEE Electr. Device L. 19, 367 (1998).
14. C. E. Morosanu, Thin Solid Films 65, 171 (1980).
15. C. J. Bedelletal., Nucl. Instrum, Meth. B59-60, 245 (1991).
16. M. C. Hugon, F. Delmotte, B. Agius, J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. A15, 3143 (1997).
17. S. Graciaetal., J. Appl. Phys. 83, 332 (1998).
18. H. Arai, K. Tanaka, S. Kohda, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 831 (1988).
19. Z. Lu, S. S. He, Y. Ma, G. Lucovsky, J. Non-Cryst. Solids, 187, 340 (1995).
20. Y. Ma, T. Yasuda, G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 952 (1993).
21. W. Honlien, H. Reisinger, Appl. Surf. Sci. 39, 178 (1989).
22. Y. Ma, T. Yasuda, G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 64, 2226 (1994).
23. M. Bose, D. N. Bose, D. K. Basa, Material Letters 52, 417 (2002).
24. E. Rauhala, Nucl. Instrum. Meth. B40-41, 790 (1989).
25. E. Rauhala, J. Saarilahti, N. Nath, Nucl. Instrum. Meth. B61, 83 (1991).
26. J. Saarilathi, User's Guide-GISA 3. 96: Program for ion scattering analysis, 1996.
27. T. Ito, I. Kato, T. Nozaki, T. Nakamura, H. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 38, 370 (1981).
28. L. M. Terman, Solid State Electron. 5, 285 (1962).
29. G. Dupont, H. Caquineau, B. Despax, R. Berjoan, A. Dollet, J. Phys. DAppl. Phys. 30, 1064 (1997).
30. S. Ghosh, D. N. Bose, J. Mater. Sci. -Mater. El. 5, 193 (1994).
31. J. Robertson, M. J. Powell, Appl. Phys. Lett. 44, 415 (1984).
32. Z. Yin, F. W. Smith, Phys. Rev. B42, 3666 (1990).