Space-limited crystal growth mechanism of TiO2 films by atomic layer deposition

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 15, 2010, Pages 6917-6921

  Lee, Wen Jen ^a   Hon, Min Hsiung ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH MECHANISM; GRAIN SIZE; SI SUBSTRATES; SURFACE NUCLEATION; TEMPERATURE DEPENDENCE; TIO;

ACTIVATION ENERGY; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLIZATION; GRAIN BOUNDARIES; GRAIN SIZE AND SHAPE; GROWTH TEMPERATURE; TEMPERATURE DISTRIBUTION;

GRAIN GROWTH;

EID: 77951105299     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp911210q     Document Type: Article

References (36)

1. Hamann, T. W.; Martinson, A. B. F.; Elam, J. W.; Pellin, M. J.; Hupp, J. T. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10303
2. Grätzel, M. Nature 2001, 414, 338
3. Kumar, M. K.; Tan, L. K.; Gosvami, N. N.; Gao, H. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 6381
4. Sberveglieri, G. Sens. Actuators, B 1995, 23, 103
5. Wang, J.; Bai, Y.; Wu, M.; Yin, J.; Zhang, W. F. J. Power Sources 2009, 191, 614
6. Exnar, I.; Kavan, L.; Huang, S. Y.; Grätzel, M. J. Power Sources 1997, 68, 720
7. Frohlich, K.; Tapajna, M.; Rosova, A.; Dobroka, E.; Husekova, K.; Aarik, J.; Aidla, A. Electrohem. Solid-State Lett. 2008, 11, G19
8. Campbell, S. A.; Kim, H.-S.; Gilmer, D. C.; He, B. M. T.; Gladfelter, W. L. IBM J. Res. Dev. 1999, 34, 383
9. Jae-Woo, P.; Seunghyup, Y. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 724
10. Yip, C.-H.; Chiang, Y.-M.; Wong, C.-C. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 8735
11. Weiwu, C.; Soshu, K.; Yoshinari, M. J. Am. Ceram. So. 2007, 90, 92
12. Yanting, L.; Cuihong, S.; Yunqing, W.; Yu, W.; Yongju, W.; Yuzhu, H. Luminescence 2007, 22, 540
13. Furubayashi, Y.; Hitosugi, T.; Yamamoto, Y.; Inaba, K.; Kinoda, G.; Hirose, Y.; Shimada, T.; Hasegawa, T. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 252101
14. Fujishima, A.; Zhang, X.; Tryk, D. A. Surf. Sci. Rep. 2008, 63, 515
15. Fujishima, A.; Honda, K. Nature 1972, 238, 37
16. Yun, H. J.; Lee, H.; Joo, J. B.; Kim, W.; Yi, J. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 3050
17. Lee, J.-H.; Leu, I.-C.; Hsu, M.-C.; Chung, Y.-W.; Hon, M.-H. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13056
18. Lee, S.; Noh, J. H.; Han, H. S.; Yim, D. K.; Kim, D. H.; Lee, J.-K.; Kim, J. Y.; Jung, H. S.; Hong, K. S. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 6878
19. Spagnol, V.; Cachet, H.; Baroux, B.; Sutter, E. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 3793
20. Barman, S.; Deng, F.; McCreery, R. L. J. Am. Chem. So. 2008, 130, 11073
21. Chambers, S. A. Surf. Sci. Rep. 2000, 39, 105
22. Randeniya, L. K.; Bendavid, A.; Martin, P. J.; Preston, E. W. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 18334
23. Lin, Y.; Zhou, S.; Liu, X.; Sheehan, S.; Wang, D. J. Am. Chem. So. 2009, 131, 2772
24. Standridge, S. D.; Schatz, G. C.; Hupp, J. T. Langmuir 2009, 25, 2596
25. Rooth, M.; Quinlan, R. A.; Widenkvist, E.; Lu, J.; Grennberg, H.; Holloway, B. C.; Hårsta, A.; Jansson, U. J. Cryst. Growth 2009, 311, 373
26. Hamann, T. W.; Farha, O. K.; Hupp, J. T. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 19756
27. Bae, C.; Yoo, H.; Kim, S.; Lee, K.; Kim, J.; Sung, M. M.; Shin, H. Chem. Mater. 2008, 20, 756
28. Kim, G. M.; Lee, S. M.; Michler, G. H.; Roggendorf, H.; Gösele, U.; Knez, M. Chem. Mater. 2008, 20, 3085
29. Kemell, M.; Pore, V.; Tupala, J.; Ritala, M.; Leskelä, M. Chem. Mater. 2007, 19, 1816
30. Knez, M.; Kadri, A.; Wege, C.; Gösele, U.; Jeske, H.; Nielsch, K. Nano Lett. 2006, 6, 1172
31. Kemell, M.; Pore, V.; Ritala, M.; Leskelä, M.; Linden, M. J. Am. Chem. So. 2005, 127, 14178
32. Kim, H.; Lee, H.-B.-R.; Maeng, W.-J. Thin Solid Films 2009, 517, 2563
33. Leskelä, M.; Ritala, M. Thin Solid Films 2002, 409, 138
34. Ritala, M.; Leskelä, M. Nanotechnology 1999, 10, 19
35. Cheng, H.-E.; Lee, W.-J. Mater. Chem. Phys. 2006, 97, 315
36. Chiang, Y.-M.; Birnie, D. P.; Kingery, W. D. Physical Ceramics: Principles for Ceramic Science and Engineering; Wiley: New York, 1996; pp 371 - 391.