SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Journal of Materials Chemistry

Volumn 20, Issue 13, 2010, Pages 2638-2643

Channel/ferroelectric interface modification in ZnO non-volatile memory TFT with P(VDF-TrFE) polymer

(5) Park, Chan Ho a Lee, Kwang H a Lee, Byoung H b Sung, Myung M b Im, Seongil a

a Yonsei University (South Korea)

b Hanyang University (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT RATIOS; FERROELECTRIC LAYERS; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GLASS SUBSTRATES; INORGANIC-ORGANIC HYBRID; INTERFACE MODIFICATION; LOW-VOLTAGE; MEMORY RETENTION; MEMORY WINDOW; NON-VOLATILE MEMORIES; OPTIMUM PROPERTIES; RETENTION TIME; THIN BUFFER; TIO; TRIFLUOROETHYLENE; ZNO;

BUFFER LAYERS; DIELECTRIC MATERIALS; SUBSTRATES; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 77949532178 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/b921732k Document Type: Article

Times cited : (24)

References (20)

1
- 14744284800
- R. C. G. Naber C. Tanase P. W. M. Blom G. H. Gelinck A. W. Marsman F. J. Touwslager S. Setayesh D. M. de Leeuw Nat. Mater. 2005 4 243
- (2005) Nat. Mater. , vol.4 , pp. 243
- Naber, R.C.G.¹ Tanase, C.² Blom, P.W.M.³ Gelinck, G.H.⁴ Marsman, A.W.⁵ Touwslager, F.J.⁶ Setayesh, S.⁷ De Leeuw, D.M.⁸

2
- 27744512125
- R. C. G. Naber B. de Boer P. W. M. Blom D. M. de Leeuw Appl. Phys. Lett. 2005 87 203509
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 203509
- Naber, R.C.G.¹ De Boer, B.² Blom, P.W.M.³ De Leeuw, D.M.⁴

3
- 71849090334
- K. H. Lee G. Lee K. Lee M. S. Oh S. M. Yoon S. Im Adv. Mater. 2009 21 4287
- (2009) Adv. Mater. , vol.21 , pp. 4287
- Lee, K.H.¹ Lee, G.² Lee, K.³ Oh, M.S.⁴ Yoon, S.M.⁵ Im, S.⁶

4
- 62149140097
- K. H. Lee G. Lee K. Lee M. S. Oh S. Im Appl. Phys. Lett. 2009 94 093304
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 093304
- Lee, K.H.¹ Lee, G.² Lee, K.³ Oh, M.S.⁴ Im, S.⁵

5
- 77949275270
- 10.1007/s10854-009-9879-2
- T. Wu K. C. Aw N. T. Salim W. Gao J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2009 10.1007/s10854-009-9879-2
- (2009) J. Mater. Sci.: Mater. Electron.
- Wu, T.¹ Aw, K.C.² Salim, N.T.³ Gao, W.⁴

6
- 34249886783
- Y. J. Park S. J. Kang E. Woo K. Shin K. J. Kim C. Park Appl. Phys. Lett. 2007 90 222903
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 222903
- Park, Y.J.¹ Kang, S.J.² Woo, E.³ Shin, K.⁴ Kim, K.J.⁵ Park, C.⁶

7
- 34247352481
- S. Fujisaki H. Ishiwara Y. Fujisaki Appl. Phys. Lett. 2007 90 162902
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 162902
- Fujisaki, S.¹ Ishiwara, H.² Fujisaki, Y.³

8
- 0001478012
- F. Xia H. Xu F. Fang B. Razavi Z.-Y. Cheng Y. Lu B. Xu Q. M. Zhang Appl. Phys. Lett. 2001 78 1122
- (2001) Appl. Phys. Lett. , vol.78 , pp. 1122
- Xia, F.¹ Xu, H.² Fang, F.³ Razavi, B.⁴ Cheng, Z.-Y.⁵ Lu, Y.⁶ Xu, B.⁷ Zhang, Q.M.⁸

9
- 70350070411
- C. H. Park G. Lee K. H. Lee K. Lee B. H. Lee S. M. Sung S. Im Appl. Phys. Lett. 2009 95 153502
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 153502
- Park, C.H.¹ Lee, G.² Lee, K.H.³ Lee, K.⁴ Lee, B.H.⁵ Sung, S.M.⁶ Im, S.⁷

10
- 0001571869
- S. L. Miller P. J. Mcwhorter J. Appl. Phys. 1992 72 5999
- (1992) J. Appl. Phys. , vol.72 , pp. 5999
- Miller, S.L.¹ McWhorter, P.J.²

11
- 34948832812
- Y.-W. Chiang J.-M. Wu Appl. Phys. Lett. 2007 91 142103
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.91 , pp. 142103
- Chiang, Y.-W.¹ Wu, J.-M.²

12
- 33645644997
- T. P. Juan C. Chang J. Y. Lee IEEE Electron Device Lett. 2006 27 217
- (2006) IEEE Electron Device Lett. , vol.27 , pp. 217
- Juan, T.P.¹ Chang, C.² Lee, J.Y.³

13
- 32044451564
- M. Takahashi S. Sakai Jpn. J. Appl. Phys. 2005 44 L800
- (2005) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.44 , pp. 800
- Takahashi, M.¹ Sakai, S.²

14
- 0036646284
- T. P. Ma J.-P. Han IEEE Electron Device Lett. 2002 23 386
- (2002) IEEE Electron Device Lett. , vol.23 , pp. 386
- Ma, T.P.¹ Han, J.-P.²

15
- 37549041732
- B. H. Lee M. K. Ryu S.-Y. Choi K.-H. Lee S. Im M. M. Sung J. Am. Chem. Soc. 2007 129 16034
- (2007) J. Am. Chem. Soc. , vol.129 , pp. 16034
- Lee, B.H.¹ Ryu, M.K.² Choi, S.-Y.³ Lee, K.-H.⁴ Im, S.⁵ Sung, M.M.⁶

16
- 70350220866
- B. H. Lee K. H. Lee S. Im M. M. Sung J. Nanosci. Nanotechnol. 2009 9 6962
- (2009) J. Nanosci. Nanotechnol. , vol.9 , pp. 6962
- Lee, B.H.¹ Lee, K.H.² Im, S.³ Sung, M.M.⁴

17
- 68349091584
- K.-T. Kim K. Lee M. S. Oh C. H. Park S. Im Thin Solid Films 2009 517 6345
- (2009) Thin Solid Films , vol.517 , pp. 6345
- Kim, K.-T.¹ Lee, K.² Oh, M.S.³ Park, C.H.⁴ Im, S.⁵

18
- 0037166522
- M. D. Groner J. W. Elam F. H. Fabreguette S. M. George Thin Solid Films 2002 413 186
- (2002) Thin Solid Films , vol.413 , pp. 186
- Groner, M.D.¹ Elam, J.W.² Fabreguette, F.H.³ George, S.M.⁴

19
- 21744444606
- R. L. Puurunen J. Appl. Phys. 2005 97 121301
- (2005) J. Appl. Phys. , vol.97 , pp. 121301
- Puurunen, R.L.¹

20
- 33748435179
- R. Katamreddy R. Inman G. Jursich A. Soulet C. Takoudis J. Electrochem. Soc. 2006 153 C701
- (2006) J. Electrochem. Soc. , vol.153 , pp. 701
- Katamreddy, R.¹ Inman, R.² Jursich, G.³ Soulet, A.⁴ Takoudis, C.⁵

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.