The Flash memory for the nodes to come: Material issues from a device perspective

ECS Transactions

Volumn 19, Issue 2, 2009, Pages 649-668

  Govoreanu, B ^a   Kittl, J A ^a   De Vos, J ^a   Rothschild, A ^a   Blomme, P ^a   Wellekens, D ^a   Aguado, D Ruiz ^a   Jurczak, M ^a   Van Houdt, J ^a  

^a IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH-K DIELECTRIC; LOW-K DIELECTRIC; MEMORY ARCHITECTURE; NITRIDES; SILICA; SILICON NITRIDE;

AGGRESSIVE SCALING; CELL ARCHITECTURES; DEVICE CHARACTERISTICS; END-USER APPLICATIONS; FLOATING GATES; HIGH-DENSITY INTEGRATION; MATERIAL REQUIREMENTS; NAND FLASH MEMORY;

FLASH MEMORY;

EID: 76549095471     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3122122     Document Type: Conference Paper

References (39)

1. SIA, ITRS Roadmap (ed. 2007).
2. F. Masuoka, M. Asano, H. Iwahashi, T. Komuro, and S. Tanaka, IEDM Tech. Dig, p. 464(1984).
3. B. Govoreanu, D.P. Brunco, and J. Van Houdt, Solid-St. Electron, 49(11) (2005).
4. J. Van Houdt, Proc. IRPS, p. 234-239 (2005).
5. J.-D. Lee, S.-H. Hur, and J.-D. Choi, IEEE El. Dev. Lett., 23(5), 2002.
6. S. Mori, Y.Y. Araki, M. Sato, H. Meguro, H. Tsunoda, E. Kamyia, K. Yoshikawa, N. Arai, and E. Sakagami, IEEE Trans. El. Dev, 43(1) 47-53 (1996).
7. C.Y. Ho, C. Lien, Y. Sakamoto, R.J. Yang, H. Fijita, C.H. Liu, Y.M. Lin, S. Pittikoun, and S. Aritome, IEEE El. Dev. Lett., 29(11) (2008).
8. B. Govoreanu, D. Wellekens, J. De Vos, L. Haspeslagh, J. Van Houdt, IEDM Tech. Dig, p. 479-482 (2006).
9. R.L. Puurunnen, J. Appl. Phys, 97, 121301 (2005).
10. J. Kittl et al, to be published.
11. B. Govoreanu, D.P. Brunco, L. Haspeslagh, J. De Vos, D. Ruiz Aguado, P. Blomme, G. Puzzilli, K. van der Zanden, F. Irrera, J. Van Houdt, Mat. Res. Symp. (spring meeting) (2006).
12. V.V. Afanasiev, A. Stesmans, B.J. Mrstik, C. Zhao, Appl. Phys. Lett., 81, 1678-1680, (2002).
13. J. De Vos, L. Haspeslagh, M. Demand, K. Devriendt, D. Wellekens, S. Beckx, J. Van Houdt, Proc. ICICDT (2006).
14. J. De Vos, L. Haspeslagh, P. Blomme, M. Demand, K. Devriendt, F. Vleugels, D. Wellekens, J. Van Houdt, Proc. ICMTD (2007).
15. D. Wellekens, P. Blomme, B. Govoreanu, J. De Vos, L. Haspeslagh, J. Van Houdt, D.P. Brunco, K. van der Zanden, Proc. ESSDERC, p. 238-241 (2006).
16. B. Govoreanu, D. Wellekens, L. Haspeslagh, D.P. Brunco, J. De Vos, D. Ruiz Aguado, P. Blomme, K. van der Zanden, J. Van Houdt, Solid-St. Electron, 52(4), 557-563 (2008).
17. B. Govoreanu, R. Degraeve, J. Van Houdt, M. Jurczak, IEDM Tech. Dig, p. 353-356, (2008).
18. B. Govoreanu, J. Van Houdt, IEEE El. Dev. Lett., 29(2) 177-179 (2008).
19. R. Kakoschke, L. Pescini, J.R. Power, K. van der Zanden, E.-O. Andersen, Y. Gong, R. Allinger, Solid-St. Electron, 52(4) (2008).
20. B. Govoreanu, R. Degraeve, J. Kittl, M. Zahid, M. Cho, B. Kaczer, M. Jurczak, J. Van Houdt, Proc. INFOS 2009 (in press).
21. C. Adelmann, S. Van Elshocht, A. Franquet, T. Conard, O. Richard, H. Bender, P. Lehnen, and S. De Gendt, Appl. Phys. Lett., 92, 112902 (2008).
22. B. Govoreanu, P. Blomme, M. Rosmeulen, J. Van Houdt, K. De Meyer, IEEE El. Dev. Lett., 24(2) 99-101 (2003).
23. B. Govoreanu, P. Blomme, J. Van Houdt, K. De Meyer, Jpn. J. Appl. Phys, 42(4B) 2020-2024 (2003).
24. P. Blomme, L. Haspeslagh, J. De Vos, M. Lorenzini, J. Van Houdt, K. De Meyer, Proc. NVSMW (2004).
25. P. Blomme, J. DeVos, A. Akheyar, L. Haspeslagh, J. Van Houdt, K. De Meyer, Proc. NVSMW (2006).
26. D. Kang, S. Jang, K. Lee, J. Kim, H. Kwon, W. Lee, B.-G. Park, J. D. Lee, H. Shin, IEDM Tech. Dig (2006).
27. J. De Vos, D. Wellekens, I. Debusschere, J. Van Houdt, S.R.A. Van Aerde, P.R. Fischer, P.M. Zagwijn, Proc. ESSDERC (2008).
28. P.R. Fischer, M. Bauer, S.R.A. Van Aerde, T.G.M. Oosterlaken, M. Yan, W.A. Verweij, B.W.M. Bozon, P.M. Zagwijn, ECS Transactions, 3(2) 203-215 (2006).
29. J. De Vos et al, to be published.
30. M.H. White, D.A. Adams, J. Bu, IEEE Circ. Dev. Magazine, 16(4), 22-31 (2000).
31. C. H. Lee, S. H. Hur, Y. S. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, K. Kim, Ext. Abstr. SSDM, p. 162-163(2002).
32. C.H. Lee, K.I. Choi, M.K. Cho, Y. H. Song, K.C. Park, K. Kim, IEDM Tech. Dig (2003).
33. A. Furnémont, M. Rosmeulen, A. Cacciato, L. Breuil, K. De Meyer, H. Maes, J. Van Houdt, Proc. NVSMW, pp. 96-97 (2007).
34. L. Breuil A. Furnémont, A. Rothschild, G. Van den bosch, A. Cacciato, J. Van Houdt, Proc. NVSMW (2008).
35. G. Van den Bosch, A. Furnémont, M. B. Zahid, R. Degraeve, L. Breuil, A. Cacciato, A. Rothschild, C. Olsen, U. Ganguly, J. Van Houdt, Proc. NVSMW, (2008).
36. A. Furnémont, M. Rosmeulen, K. van der Zanden, J. Van Houdt, K. De Meyer, H. Maes, IEDM Tech. Dig, p. 397-400, 2006.
37. S.-C. Lai, H.-T. Lue, M.-J. Yang, J.-Y. Hsieh, S.-Y. Wang, T.-B. Wu, G.-L. Luo, C.-H. Chien, E.-K. Lai, K.-Y. Hsieh, R. Liu, and C.-Y. Lu, Proc. NVSMW, p. 88-89, 2007.
38. D. Ha, K. Kim, ECS Transactions, 13(1) 443-451 (2008).
39. K. Prall, Proc. NVSMW (2007).