Liquid injection atomic layer deposition of metallic Ru thin films from Ru(thd)3 and of high-k TiO2 Thin Films from Ti(O-i-Pr)2(thd)2

ECS Transactions

Volumn 25, Issue 4, 2009, Pages 289-298

  Kim, S K ^a   Hoffmann Eifert, S ^a   Waser, R ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ATOMS; DISSOLVED OXYGEN; MORPHOLOGY; NANOCRYSTALS; OXIDE MINERALS; PRASEODYMIUM COMPOUNDS; PRECIOUS METALS; SURFACE ROUGHNESS; THIN FILMS; TITANIUM DIOXIDE;

GROWTH BEHAVIOR; LIQUID DELIVERY; LIQUID INJECTIONS; NANOCRYSTALLINES; NUCLEATION BEHAVIOR; SELF-SATURATION; TIO2 THIN FILMS; UNIQUE FEATURES;

RUTHENIUM COMPOUNDS;

EID: 74249092441     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (18)

1. J. A. Kittl, K. Opsomer, M. Popovici, N. Menou, B. Kaczer, X. P. Wang, C. Adelmann, M.A.Pawlak, K.Tomida, A. Rothschild.B. Govoreanu, R. Degraeve, M. Schaekers, M. Zahid, A. Delabie, J. Meersschaut, W. Polspoel, S. Clima, G. Pourtois, W. Knaepen, C. Detavernier, V. V. Afanas'ev, T. Blomberg, D. Pierreux, J. Swerts, P. Fischer, J.W. Maes, D. Manger, W. Vandervorst, T. Conard, A. Franquet, P. Favia, H. Bender, B. Brijs, S. Van Elshocht, M. Jurczak, J. Van Houdt, D. J. Wouters, ECS Transactions, 19 (1), pp. 29-40 (2009).
2. J. Lin, N. Masaaki, A. Tsukune, M. Yamada, Appl. Phys. Lett., 74, p. 2370 (1999).
3. S. K. Kim, G.-J. Choi, S. Y. Lee, M. Seo, S. W. Lee, J. H. Han, H.-S. Ahn, S. Han, C. S. Hwang, Adv. Mater., 20, p.1429 (2008).
4. O. Tonomura, T. Sekiguchi, N. Inada, T. Hamada, H. Miki, K. Toni, ECS Transactions, 19 (2), pp. 739-750 (2009).
5. U. Diebold, Surf. Sci. Rep., 48, p. 53 (2003).
6. R. Waser, M. Aono, Nature Mater., 6, p. 833 (2007).
7. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature, 453, p. 80 (2008).
8. T. Aaltonen, M. Ritala, K. Arstila, J. Keinonen, M. Leskelä, Chem. Vap. Dep., 10, p. 215 (2004).
9. S.-J. Park, W.-H. Kim, W. J. Maeng, Y. S. Yang, C. G. Park, H. Kim, K.-N. Lee, S. W. Jung, W. K. Seong, Thin Solid Films, 516, p. 7345 ((2008).
10. S. K. Kim, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser, J. Phys. Chem. C (2009) to be published; Publication Date (Web): June 8, 2009.
11. T. Watanabe, S. Hoffmann-Eifert, F. Peter, S. Mi, C. Jia, C. S. Hwang, R. Waser, J. Electrochem. Soc., 154, G262 (2007).
12. S.-H. Kwon, O.-K. Kwon, J.-H. Kim, S.-J. Jeong, S.-W. Kim, S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc., 154, H773 (2007).
13. M. Hiratani, Y. Matsui, K. Imagawa, S. Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L1275 (1999).
14. M. Kadoshima, T. Nabatame, M. Hiratani, Y. Nakamura, I. Asano, T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 41, L347 (2002).
15. J. Aarik, A. Aidla, H. Mändar, V. Sammelselg, J. Cryst. Growth, 220, p. 531 (2000).
16. W. D. Kim, G. W. Hwang, O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, D. S. Jeong, S. W. Lee, M. Seo, C. S. Hwang, Y.-S. Min, and Y. J. Cho, J. Electrochem. Soc., 152, C552 (2005).
17. S. K. Kim, S. Hoffmann-Eifert, S. Mi, R. Waser, J. Electrochem. Soc., 156, D296-D300 (2009).
18. Y. S. Cho, S.-l. Cho, J. S. Heo, J. C. Kim, and S. H. Moon, J. Electrochem. Soc., 153, CI95 (2006).