High electron mobility in vacuum and ambient for PDIF-CN 2single-crystal transistors

Journal of the American Chemical Society

Volumn 131, Issue 7, 2009, Pages 2462-2463

  Molinari, Anna S ^a   Alves, Helena ^b   Chen, Zhihua ^c   Facchetti, Antonio ^c   Morpurgo, Alberto F ^d  

^a DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b INESC   (Portugal)

^c POLYERA CORPORATION   (United States)

^d UNIVERSITY OF GENEVA   (Switzerland)

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HIGH ELECTRON MOBILITY; IN-VACUUM; SEMICONDUCTOR CRYSTALS; SINGLE-CRYSTAL TRANSISTORS;

ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON MOBILITY; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; VACUUM;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

ARTICLE; CRYSTAL; ELECTRON; FIELD EFFECT TRANSISTOR; SEMICONDUCTOR; VACUUM;

EID: 67849097766     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja809848y     Document Type: Article

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