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Nanoscale Research Letters

Volumn 4, Issue 7, 2009, Pages 689-693

Effect of interfacial bonds on the morphology of InAs QDs grown on GaAs (311) B and (100) substrates

(4) Wang, Lu a Li, Meicheng a Xiong, Min a Zhao, Liancheng a

a HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY (China)

Author keywords

High miller index; InAs; Interfacial bonds; Strain; Transition thickness

Indexed keywords

GAAS; HIGH MILLER INDEX; INAS; INAS QUANTUM DOTS; INTERFACIAL BONDS; MILLER INDICES; SUBSTRATE ORIENTATION; TRANSITION THICKNESS;

BUFFER LAYERS; INDIUM ARSENIDE; MORPHOLOGY; OPTICAL WAVEGUIDES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SUBSTRATES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 67349184306 PISSN: 19317573 EISSN: 1556276X Source Type: Journal
DOI: 10.1007/s11671-009-9304-z Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.