Energy dissipation in graphene field-effect transistors

Nano Letters

Volumn 9, Issue 5, 2009, Pages 1883-1888

  Freitag, Marcus ^a   Steiner, Mathias ^a   Martin, Yves ^a   Perebeinos, Vasili ^a   Chen, Zhihong ^a   Tsang, James C ^a   Avouris, Phaedon ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC POWER; ELECTRONIC CONDUCTION; ELEVATED TEMPERATURE; FIELD COUPLING; GATE OXIDE; GRAPHENE; GRAPHENE SHEETS; GRAPHENE TRANSISTORS; HEAT FLOWS; METALLIC CONTACTS; MEV ENERGY; OPERATING TEMPERATURE; PHONON BANDS; POLAR SURFACES; RAMAN SCATTERING MICROSCOPY; REMOTE SCATTERING; SINGLE LAYER; TEMPERATURE PROFILES; UMKLAPP SCATTERING; VELOCITY SATURATION;

ENERGY DISSIPATION; PHONONS; SCATTERING; THERMOANALYSIS; TWO DIMENSIONAL;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 66449099026     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl803883h     Document Type: Article

References (38)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature (London)2005, 438, 197-200.
2. Zhang, Y.; Tan, J. W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature (London)2005, 438, 201-204.
3. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater.2007, 6, 183.
4. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiand, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science2004, 306, 666.
5. Han, M. Y.; Oezyilmaz, B.; Zhang, Y.; Kim, P. Phys. Rev. Lett.2007, 98, 206805.
6. Chen, Z.; Lin, Y.-M.; Rooks, M. J.; Avouris, Ph Physica E2007, 40,228.
7. Li, X.; Wang, X.; Zhang, L.; Lee, S.; Dai, H. Science2008, 319, 1229-1232.
8. Lin, Y.-M.; Jenkins, K. A.; Valdes-Garcia, A.; Small, J. P.; Farmer, D. B.; Avouris, Ph. Nano Lett.2009, 9, 422-426.
9. Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Hone, J.; Stromer, H. L.; Kim, P. Phys. Rev. Lett.2008, 101, 096802.
10. Du, X.; Skachako, I.; Barker, A.; Andrei, E. Y. Nat. Nanotechnol.2008, 3, 491-495.
11. Chiu, H.-Y.; Deshpande, V. V.; Postma, H. W. Ch.; Lau, C. N.; Miko, C.; Forro, L.; Bockrath, M. Phys. Rev. Lett.2005, 95, 226101.
12. Pop, E.; Mann, D. A.; Goodson, K. E.; Dai, H. J. Appl. Phys.2007, 101, 093710.
13. Small, J. P.; Shi, L.; Kim, P. Solid State Commun.2003, 127, 181-186.
14. Bushmaker, A. W.; Deshpande, V. V.; Bockrath, M. W.; Cronin, S. B. Nano Lett.2007, 7, 3618-3622.
15. Oron-Carl, M.; Krupke, R. Phys. Rev. Lett.2008, 100, 127401.
16. Steiner, M.; Freitag, M.; Perebeinos, V.; Tsang, J. C.; Small, J. P.; Kinoshita, M.; Yuan, D.; Liu, J.; Avouris, Ph. Nat. Nanotechnol.,published online March 1, 2009. http://dx.doi.org/10. 1038/NNANO.2009.22.
17. Calizo, I.; Balandin, A. A.; Miao, F.; Bao, W.; Lau, C. N. Appl. Phys. Lett.2007, 91, 071913.
18. Das, A.; Pisana, S.; Chakraborty, B.; Piscanec, S.; Saha, S. K.; Waghmare, U. V.; Novoselov, K. S.; Krishnamurthy, H. R.; Geim,A. K.; Ferrari, A. C.; Sood, A. K. Nat. Nanotech.2008, 3, 210.
19. Yan, J.; Zhang, Y.; Kim, P.; Pinczuk, A. Phys. Rev. Lett.2007, 98, 166802.
20. Rohrl, J.; Hundhausen, M.; Emtsev, K. V.; Seyller, Th.; Graupner,R.; Ley, L. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 201918.
21. Ferralis, N.; Maboudian, R.; Carraro, C. Phys. Rev. Lett.2008, 101, 156801.
22. Mohiuddin, T. M. G.; et al. arXiv2009, 0812.1538.
23. Lee, E. J. H.; Balasubramanian, K.; Weitz, R. T.; Burghard, M.; Kern,K. Nat. Nanotech.2008, 3, 486.
24. Balandin, A. A.; Ghosh, S.; Bao, W.; Calizo, I.; Teweldebrhan, D.;Miao, F.; Lau, C. N. Nano Lett.2008, 8, 902-907.
25. Ghosh, S.; Calizo, I.; Teweldebrhan, D.; Pokatilov, E. P.; Nika, D. L.; Balandin, A. A.; Bao, W.; Miao, F.; Lau, C. N. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 151911.
26. Mingo, N.; Broido, D. A. Phys. Rev. Lett.2005, 95, 096105.
27. Berber, S.; Kwon, Y.-K.; Tomanek, D. Phys. Rev. Lett.2000, 84, 4613-4616.
28. Osman, M. A.; Srivastava, D. Nanotechnology2001, 12, 21-24.
29. Kim, P.; Shi, L.; Majumdar, A.; McEuen, P. L. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 215502.
30. Nair, R. R.; Blake, P.; Grigorenko, A. N.; Novoselov, K. S.; Booth, T. J.; Stauber, T.; Peres, N. M. R.; Geim, A. K. Science2008, 320, 1308.
31. Calizo, I.; Ghosh, S.; Teweldebrhan, D.; Bao, W.; Miao, F.; Lau, C. N.; Balandin, A. A. Proc. SPIE2008, 7037, 70371B.
32. Taur Y.; Ning, T. H. Fundamentals of modern VLSI devices;Cambridge University press: New York, 1998; pp 143-144.
33. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices,2nd ed.; Wiley & Sons: New York, 1981; pp 22-27.
34. Lin, Y.-M.; Perebeinos, V.; Chen, Z.; Avouris, Ph. Phys. Rev B2008, 78, 61409R.
35. Chen, J. H.; Jang, C.; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol.2008, 3, 206.
36. Meric, I.; Han, M. Y.; Young, A. F.; Ozyilmaz, B.; Kim, P.; Shepard, K. L. Nat. Nanotechnol.2008, 3, 654-659.
37. Perebeinos, V.; Rotkin, S. V.; Petrov, A. G.; Avouris, Ph. Nano Lett.2008, 9, 312-316.
38. Rotkin, S. V.; Perebeinos, V.; Petrov, A. G.; Avouris, Ph. Nano Lett.,submitted for publication.