Variable temperature Raman microscopy as a nanometrology tool for graphene layers and graphene-based devices

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 7, 2007, Pages

  Calizo, I ^a   Miao, F ^a   Bao, W ^a   Lau, C N ^a   Balandin, A A ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL BONDS; HALL EFFECT; RAMAN SCATTERING;

GRAPHENE; QUANTUM HALL MEASUREMENTS; RAMAN MICROSCOPY;

CARBON;

EID: 34548030931     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2771379     Document Type: Article

References (28)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature (London) 438, 197 (2005).
3. Y. B. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature (London) 438, 201 (2005).
4. D. A. Abanin, P. A. Lee, and L. S. Levitov, e-print arXiv:cond-mat/ 0611062.
5. C. L. Kane and E. J. Mele, Phys. Rev. Lett. 95, 226801 (2005).
6. C. L. Kane and E. J. Mele, Phys. Rev. Lett. 95, 146802 (2005).
7. D. V. Khveshchenko, Phys. Rev. B 74, 161402 (2006).
8. F. Miao, S. Wijeratne, Y. Zhang, U. Coskun, and C. N. Lau, e-print arXiv:cond-mat/0703052.
9. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater. 6, 183 (2007).
10. K. Nakada, M. Fujita, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 54, 17954 (1996).
11. L. Brey and H. A. Fertig, Phys. Rev. B 73, 235411 (2006).
12. Y. W. Son, M. L. Cohen, and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 97, 216803 (2006).
13. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006).
14. A. Gupta, G. Chen, P. Joshi, S. Tadigadapa, and P. C. Eklund, Nano Lett. 6, 2667 (2006).
15. D. Graf, F. Molitor, K. Ensslin, C. Stampfer, A. Jungen, C. Hierold, and L. Wirtz, Nano Lett. 7, 238 (2007).
16. A. N. Sidorov, M. M. Yazdanpanah, R. Jalilian, P. J. Ouseph, R. W. Cohn, and G. U. Sumanasekera, Nanotechnology 18, 135301 (2007).
17. K. Filippov and A. A. Balandin, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 8, 4 (2003).
18. P. L. Kapitza, J. Phys. (Moscow) 4, 181 (1941).
19. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, M. Shamsa, and A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1829782 97, 024313 (2005); K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
20. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, M. Shamsa, and A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1829782 97, 024313 (2005); K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
21. J. Zou and A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 89, 2932 (2001).
22. E. P. Pokatilov, D. L. Nika, and A. A. Balandin, Phys. Rev. B 72, 113311 (2005).
23. J. Tworzydlo, B. Trauzettel, M. Titov, A. Rycerz, and C. W. J. Beenakker, Phys. Rev. Lett. 96, 246802 (2006).
24. C. Postmus, J. R. Ferraro, and S. S. Mitra, Phys. Rev. 174, 983 (1968).
25. L. Ci, Z. Zhou, L. Song, X. Yan, D. Liu, H. Yan, Y. Gao, J. Wang, L. Liu, W. Zhou, G. Wang, and S. Xie, Appl. Phys. Lett. 82, 3098 (2003).
26. F. Huang, K. T. Yue, P. Tan, S. L. Zhang, Z. Shi, X. Zhou, and Z. Gu, J. Appl. Phys. 84, 4022 (1998).
27. H. Herchen and M. A. Cappelli, Phys. Rev. B 43, 11740 (1991).
28. P. H. Tan, Y. Deng, Q. Zhao, and W. Cheng, Appl. Phys. Lett. 74, 1818 (1999).