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Volumn 34, Issue 8, 2009, Pages 1198-1200

Room-temperature direct bandgap electroluminesence from Ge-on-Si light-emitting diodes

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DIODES; ELECTROLUMINESCENCE; ENERGY GAP; GERMANIUM; HETEROJUNCTIONS; LIGHT; SILICON; TENSILE STRAIN;

EID: 66349116228     PISSN: 01469592     EISSN: 15394794     Source Type: Journal    
DOI: 10.1364/OL.34.001198     Document Type: Article
Times cited : (240)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.