Sensitized erbium emission from silicon-rich nitride/silicon superlattice structures

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 18, 2008, Pages

  Dal Negro, L ^a   Li, R ^a   Warga, J ^a   Basu, S N ^b  

^a Boston University   (United States)

^b BOSTON UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; ENERGY TRANSFER; MAGNETRON SPUTTERING; NANOPROBES; NUCLEATION; RAPID THERMAL ANNEALING; SPUTTER DEPOSITION; SUPERLATTICES;

COSPUTTERING; NONRESONANT ENERGY TRANSFER; SENSITIZATION; SI COMPATIBLE DEVICES;

ERBIUM COMPOUNDS;

EID: 43349095612     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2920435     Document Type: Article

References (27)

1. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 71, 1198 (1997).
2. G. Franz, V. Vinciguerra, and F. Priolo, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, 3 (1999).
3. D. Pacifici, G. Franz, F. Priolo, F. Iacona, and L. Dal Negro, Phys. Rev. B 67, 245301 (2003).
4. M. Fujii, K. Imakita, K. Watanabe, and S. Hayashi, J. Appl. Phys. 95, 272 (2004).
5. A. Polman and F. C. J. M. van Veggel, J. Opt. Soc. Am. B 21, 871 (2004).
6. K. Imakita, M. Fujii, and S. Hayashi, Phys. Rev. B 71, 193301 (2005).
7. L. Tsybeskov, K. D. Hirschman, S. P. Duttagupta, M. Zacharias, P. M. Fauchet, J. P. McCaffrey, and D. J. Lockwood, Appl. Phys. Lett. 72, 43 (1998).
8. J. H. Shin, W. Lee, and H. Han, Appl. Phys. Lett. 74 1573 (1999).
9. G. F. Grom, D. J. Lockwood, J. P. McCaffrey, H. J. Lebbe, P. M. Fauchet, B. White, J. Diener, D. Kovalev, F. Koch, and L. Tsybeskov, Nature (London) 407, 358 (2000).
10. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholtz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Blasing, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
11. V. U. Timoshenko, M. G. Lisachenko, O. A. Shalygina, B. V. Kamenev, D. M. Zhigunov, S. A. Teterukov, P. K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, and M. Zacharias, J. Appl. Phys. 96, 2254 (2004).
12. G. Franz, S. Boninelli, D. Pacifici, F. Priolo, F. Iacona, and C. Bongiorno, Appl. Phys. Lett. 82, 3871 (2003).
13. N. M. Park, C. J. Choi, T. Y. Seong, and S. J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
14. T. Y. Kim, N. M. Park, K. H. Kim, G. Y. Sung, Y. W. Ok, T. Y. Seong, and C. J. Choi, Appl. Phys. Lett. 85, 5355 (2004).
15. K. S. Cho, N. M. Park, T. Y. Kim, K. H. Kim, G. Y. Sung, and J. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 071909 (2005).
16. L. Dal Negro, J. H. Yi, J. Michel, L. C. Kimerling, T.-W. F. Chang, V. Sukhovatkin, and E. H. Sargent, Appl. Phys. Lett. 88, 233109 (2006).
17. L. Dal Negro, J. H. Yi, J. Michel, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, and G. Galli, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1628 (2006).
18. L. Dal Negro, J. H. Yi, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, and G. Galli, Appl. Phys. Lett. 88, 183103 (2006).
19. L. Dal Negro, S. Hamel, N. Zaitseva, J. H. Yi, A. Williamson, M. Stolfi, J. Michel, G. Galli, and L. C. Kimerling, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1151 (2006).
20. L. Dal Negro, R. Li, J. Warga, S. Yerci, S. Basu, H. Hamel, and G. Galli, in Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives, edited by, L. Khriachtchev, (World Scientific, June 30, 2008).
21. S. V. Deshpande, E. Gulari, S. W. Brown, and S. C. Rand, J. Appl. Phys. 77, 6534 (1995).
22. N. M. Park, T. Kim, K. Kim, G. Sung, B. Kim, S. Park, K. Cho, J. H. Shin, J. Lee, and M. Nastasi, J. Electrochem. Soc. 152, 445 (2005).
23. N. M. Park, T. Kim, S. Kim, G. Sung, B. Kim, K. Cho, J. H. Shin, B. Kim, S. Park, J. Lee, and M. Nastasi, Thin Solid Films 475, 231 (2005).
24. F. Priolo, G. Franz, D. Pacifici, V. Vinciguerra, F. Iacona, and A. Irrera, J. Appl. Phys. 89, 264 (2001).
25. A. J. Kenyon, M. Wojdak, I. Ahmad, W. H. Loh, and C. J. Oton, Phys. Rev. B, 77, 035318 (2008).
26. S. Y. Seo and J. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 78, 2709 (2001).
27. J. H. Jhe, J. H. Shin, K. J. Kim, and D. W. Moon, Appl. Phys. Lett. 82, 4489 (2003).