Nature of defects induced by au implantation in hexagonal silicon carbide single crystals

AIP Conference Proceedings

Volumn 1099, Issue , 2009, Pages 891-895

  Gentils, Aurélie ^a,c   Barthe, Marie France ^a   Egger, Werner ^b   Sperr, Peter ^b  

^a CNRS   (France)

^b BUNDESWEHR UNIVERSITY MUNICH   (Germany)

^c CENTRE DE CALCUL DE L INSTITUT NATIONAL DE PHYSIQUE NUCLEAIRE ET DE PHYSIQUE DES PARTICULES   (France)

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Ion implantation; Positron annihilation spectroscopy; Silicon carbide; Vacancy defects

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EID: 65349094498     PISSN: 0094243X     EISSN: 15517616     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1063/1.3120183     Document Type: Conference Paper

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