Synthesis of single-phase layered oxychalcogenide La2CdO 2Se2: Crystal structure, optical and electrical properties

Journal of Materials Chemistry

Volumn 14, Issue 19, 2004, Pages 2946-2950

  Hiramatsu, Hidenori ^a   Ueda, Kazushige ^b,c   Kamiya, Toshio ^a,b   Ohta, Hiromichi ^a,d   Hirano, Masahiro ^a   Hosono, Hideo ^a,b  

^a JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^c KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^d NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; CRYSTAL STRUCTURE; DOPING (ADDITIVES); LATTICE VIBRATIONS; OPTICAL PROPERTIES; STOICHIOMETRY; SYNTHESIS (CHEMICAL);

ALLO-VALENT IONS; RIETVELD METHODS; SITE OCCUPANCY; THERMAL VIBRATIONS;

LANTHANUM COMPOUNDS;

CADMIUM; LANTHANUM; OXYGEN;

ANALYTIC METHOD; ARTICLE; CHEMICAL COMPOSITION; CRYSTAL STRUCTURE; OPTICAL DENSITY; PHASE SEPARATION; ROOM TEMPERATURE; SEMICONDUCTOR; STOICHIOMETRY; STRUCTURE ANALYSIS; SYNTHESIS;

EID: 6344230081     PISSN: 09599428     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/b407852g     Document Type: Article

References (43)

1. (a) H. Yanagi, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono, Solid State Commun., 2001, 121, 15;
2. (b) R. L. Hoffman. J. F. Wager, M. K. Jayaraj and J. Tate, J. Appl. Phys., 2001, 90, 5763;
3. (c) H. Ohta, H. Mizoguchi, M. Hirano, S. Narushima, T. Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2003, 82, 823;
4. (d) H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Maruta, T. Tanabe, M. Kamiya, T. Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2003, 83, 1029;
5. (e) S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya and H. Hosono, Adv. Mater., 2003, 15, 1409.
6. (a) H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 475;
7. (b) H. Ohta, M. Orita, M. Hirano and H. Hosono. J. Appl. Phys., 2001, 89, 5720.
8. (a) M. W. J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Müller, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 3650;
9. (b) R. L. Hoffman, B. J. Norris and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett., 2003, 82, 733;
10. (c) K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Science, 2003, 300, 1269.
11. H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi and H. Hosono, Nature, 1997, 389, 939.
12. A. Kudo, H. Yanagi, H. Hosono and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett., 1998, 73, 220.
13. (a) R. E. Stauber, J. D. Perkins, P. A. Parilla and D. S. Ginley, Electrochem. Solid-State Lett., 1999, 2, 654;
14. (b) H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, H. Hosono and N. Hamada, J. Appl. Phys., 2000, 88, 4159;
15. (c) N. Duan, A. W. Sleight, M. K. Jayaraj and J. Tate, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 1325;
16. (d) H. Kawazoe, H. Yanagi, K. Ueda and H. Hosono, MRS Bull., 2000, 25, 28;
17. (e) K. Ueda, T. Hase, H. Yanagi, H. Kawazoe, H. Hosono, H. Ohta, M. Orita and M. Hirano, J. Appl. Phys., 2001, 89, 1790;
18. (f) R. Nagarajan, A. D. Draeseke, A. W. Sleight and J. Tate, J. Appl. Phys., 2001, 89, 8022;
19. (g) H. Yanagi, T. Hase, S. Ibuki, K. Ueda and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1583.
20. (a) K. Ueda, S. Inoue, S. Hirose, H. Kawazoe and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2000, 77, 2701;
21. (b) K. Ueda, K. Takafuji, H. Hiramatsu, H. Ohta, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Chem. Mater., 2003, 15, 3692.
22. K. Ueda and H. Hosono, J. Appl. Phys., 2002, 91, 4768.
23. K. Ueda, S. Inoue, H. Hosono, N. Sarukura and M. Hirano, Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 2333.
24. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 1997, 36, 5393.
25. (a) H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 2003, 82, 1048;
26. (b) H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya and H. Hosono, Thin Solid Films, 2003, 445, 304.
27. (a) M. Palazzi, C. Carcaly and J. Flahaut, J. Solid State Chem., 1980, 35, 150;
28. (b) M. Palazzi, Acad. Sci. Paris C. R., 1981, 292, 789;
29. (c) W. J. Zhu, Y. Z. Huang, C. Dong and Z. X. Zhao, Mater. Res. Bull., 1994, 29, 143;
30. (d) A. M. Kusainova, P. S. Berdonosov, L. G. Aksel'rud, L. N. Kholodkovskaya, V. A. Dolgikh and B. A. Popovkin, J. Solid State Chem., 1994, 112, 189;
31. (e) B. A. Popovkin, A. M. Kusainova, V. A. Dolgikh and L. G. Aksel'rud, Russ. J. Inorg. Chem., 1998, 43, 1471;
32. (f) D. O. Charkin, A. V. Akopyan and V. A. Dolgikh, Russ. J. Inorg. Chem., 1999, 44, 833.
33. (a) M. Guittard, S. Benazeth, J. Dugue, S. Jaulmes, M. Palazzi, P. Laruelle and J. Flahaut, J. Solid State Chem., 1984, 51, 227;
34. (b) O. M. Aliev, V. S. Tanryverdiev and I. I. Aliev, Inorg. Mater., 1993, 29, 546;
35. (c) D. O. Charkin, P. S. Berdonosov, V. A. Dolgikh and P. Lightfoot, Russ. J. Inorg. Chem., 2000, 45, 182;
36. (d) M. Dan, J. N. Beheraa and C. N. R. Rao, J. Mater. Chem., 2004, 14, 1257.
37. I. Yu. Baranov, V. A. Dolgikh and B. A. Popovkin, Russ. J. Inorg. Chem., 1996, 41, 1819.
38. F. Izumi and T. Ikeda, Mater. Sci. Forum, 2000, 321-324, 198.
39. P. Kubelka and F. Munk, Z. Tech. Phys. (Leipzig), 1931, 12, 593.
40. K. Ueda, K. Takafuji and H. Hosono, J. Solid State Chem., 2003, 170, 182.
41. I. Ijjaali, K. Mitchell, C. L. Haynes, A. D. McFarland, R. P. Van Duyne and J. A. Ibers, J. Solid State Chem., 2003, 176, 170.
42. (a) J. O. Dimmock and R. G. Wheeler, J. Appl. Phys., 1961, 32, 2271;
43. (b) R. G. Wheeler and J. O. Dimmock, Phys. Lev., 1962, 125, 1805.