Selective synthesis of 3C-SiC hollow nanospheres and nanowires

Crystal Growth and Design

Volumn 8, Issue 7, 2008, Pages 2431-2436

  Li, Peng ^a   Xu, Liqiang ^a   Qian, Yitai ^a,b  

^a SHANDONG UNIVERSITY   (China)

^b UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 61549119465     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg800008f     Document Type: Article

References (47)

1. Powell, J. A.; Matus, L. G.; Kuczmarski, M. A. J. Electrochem. Soc. 1987, 134, 1558.
2. (a) Madelung, O. Intrinsic Properties of Group II-V and I-VI Compounds; Landolt-Bornstein New Series, Group III; Springer: Berlin, 1987; p 22.
3. (b) Konstantinov, A. O.; Wahab, Q.; Nordell, N.; Lindefeltal, U. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 90.
4. (c) Baliga, B. J. Power Semiconductor Devices; PWS Publishing Company: Boston, MA, 1996; p 74.
5. (d) Allen, S. T.; Sheppard, S. T.; Pribble, W. L.; Sadler, R. A.; Alcorn, T. S.; Ring, Z.; Palmour, J. W. Mat. Res. Symp. Proc. 1999, 572, 15.
6. (e) Järrendahl, K.;. Davis, R. In SiC Materials and Devices; Willardson, R., Weber, E., Eds.; Academic Press: New York, 1998; Vol. 52.
7. (f) Müller, S. G.; Brady, M. F.; Brixius, W. H.; Fechko, G.; Glass, R. C.; Henshall, D. Mater. Sci. Forum 2002, 23, 389-393.
8. (a) Li, Y. B.; Dorozhkin, P. S.; Bando, Y.; Golberg, D. Adv. Mater. 2005, 17, 545.
9. (b) Tang, C. C.; Bando, Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 659.
10. (c) Hu, J. Q.; Lu, Q. Y.; Tang, K. B.; Deng, B.; Jiang, R. R.; Qian, Y. T.; Yu, W. C.; Zhou, G. E.; Liu, X. M.; Wu, J. X. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5251.
11. (d) Gundiah, G.; Madhav, G. V.; Govindaraj, A.; Seikh, M. M.; Rao, C. N. R. J. Mater. Chem. 2002, 12, 1606.
12. (a) Hu, J. Q.; Bando, Y.; Zhan, J. H.; Golberg, D. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2932.
13. (b) Borowiak-Palen, E.; Ruemmeli, M. H.; Gemming, T.; Knupfer, M.; Biedermann, K.; Leonhardt, A.; Fichier, T.; Kalenczuk, R. J. J. Appl. Phys. 2005, 97, 056102.
14. (a) Qadri, S. B.; Imam, M. A.; Feng, C. R.; Rath, B. B.; Yousuf, M.; Singh, S. K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 548.
15. (b) Lu, Q. Y.; Hu, J. Q.; Tang, K. B.; Qian, Y. T.; Zhou, G. E.; Liu, X. M.; Zhu. J. S. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 507.
16. (c) Dai, H. J.; Wong, E. W.; Lu, Y. Z.; Fan, S. S.; Lieber, C. M. Nature 1995, 375, 769.
17. Xi, G. C.; Peng, Y. Y.; Wan, S. M.; Li, T. W.; Yu, W. C.; Qian, Y. T. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 20102.
18. (a) White, D. A.; Oleff, S. M.; Boyer, R. D.; Budinger, P. A.; Fox, J. R. Adv. Ceram. Mater. 1987, 2, 45.
19. (b) Hatakeyama, F.; Kanzaki, S. J. Am. Ceram. Soc. 1990, 73, 2107.
20. (c) Seog, I. S.; Kim, C. H. J. Mater. Sci. 1993, 28, 3277.
21. Wang, C.-H.; Chang, Y.-H.; Yen, M.-Y.; Peng, C-W.; Lee, C.-Y.; Chiu, H.-T. Adv. Mater. 2005, 17, 419.
22. (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933.
23. (b) Matsumoto, T.; Takahashi, J.; Tamaki, T.; Futagi, T.; Mimura, H.; Kanemitsu, Y. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 226.
24. (c) Fan, J. Y.; Wu, X. L.; Kong, R.; Qiu, L. T.; Huang, G. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 171903.
25. (d) Xu, X. L.; Siu, G. G.; Stokes, M. J.; Fan, D. J.; Gu, Y.; Bao, X. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1292.
26. (e) Wong, E. W.; Sheehan, P. E.; Lieber, C. M. Science 1997, 277, 1971.
27. (f) Yang, W.; Araki, H.; Tang, C.; Thaveethavorn, S.; Kohyama, A.; Suzuki, H.; Noda, T. Adv. Mater. 2005, 17, 1519.
28. (a) Caruso, F.; Caruso, R. A.; Mohwald, H. Science 1998, 282, 1111.
29. (b) Sun, Y. G.; Xia, Y. N. Science 2002, 298, 2176.
30. (c) Kidambi, S.; Dai, J. H.; Li, J.; Bruening, M. L. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 2658.
31. (d) Kim, J.; Yoon, S., Yu. J. Chem. Commun. 2003, 790.
32. (e) Scha- rtl, W. Adv. Mater. 2000, 12, 1899.
33. (f) Caruso, F. Adv. Mater. 2001, 13, 11.
34. Yoon, S. J.; Ou, J. K.; Seung M., Oh. J. Am. Ceram. Soc. 2002, 85, 2134.
35. Ritter, J. J. Adv. Ceram. 1987, 21, 21.
36. Shen, G. Z.; Chen, D.; Tang, K. B.; Qian, Y. T.; Zhang, S. Y. Chem. Phys. Lett. 2003, 375, 177.
37. Zhang, Y.; Shi, E. W.; Chen, Z. Z.; Li, X. B.; Xiao, B. J. Mater. Chem. 2006, 16, 4141.
38. Liu, Z. Y.; Ci, L. J.; Jin-Phillipp, N. Y.; Rulhle, M. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12517.
39. Zhang, Y. F.; Han, X. D.; Zheng, K.; Zhang, Z.; Zhang, X. N.; Fu, J. Y.; Ji, Y.; Hao, Y. J.; Guo, X. Y.; Wang, Z. L. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3435.
40. Han, W. Q.; Fan, S. S.; Li, Q. Q.; Liang, W. J.; Gu, B. L.; Yu, D. P. Chem. Phys. Lett. 1997, 265, 374.
41. Chiu, S.-C.; Huang, C-W.; Li, Y.-Y. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 10294.
42. Koumoto, K.; Takeda, S.; Pai, C.; Sata, T.; Yanagida, H. J. Am. Ceram. Soc. 1989, 72, 1985.
43. Liao, L. S.; Bao, X. M.; Yang, Z. F.; Min, N. B. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 2382.
44. Yao, Y.; Lee, S. T.; Li, F. H. Chem. Phys. Lett. 2003, 381, 628.
45. Shim, H. W.; Kim, K. C.; Seo, Y. H.; Nahm, K. S.; Suh, E.-K.; Lee, H. J.; Hwang, Y. G. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1757.
46. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208.
47. Han, W. Q.; Fan, S. S.; Li, Q. Q.; Hu, Y. Science 1997, 227, 1287.