Anomalous photoluminescence from 3C-SiC grown on Si(111) by rapid thermal chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 13, 1997, Pages 1757-1759

  Shim, H W ^a   Kim, K C ^a   Seo, Y H ^a,c   Nahm, K S ^a,c   Suh, E K ^a,c   Lee, H J ^a,c   Hwang, Y G ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Wonkwang University   (South Korea)

^c Department of Chemical Technology ^*  (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000202296     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.118648     Document Type: Article

References (20)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M, Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. Nishino, J. A. Powell, and H. A. Will, Appl. Phys. Lett. 42, 460 (1983).
3. S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 61, 4889 (1987).
4. P. Liaw and R. R. Davis, J. Electrochem. Soc. 132, 642 (1985).
5. A. J. Steckl and J. P. Li, IEEE Trans. Electron Devices 39, 64 (1992).
6. Y. H. Seo, K. S. Nahm, E.-K. Suh, Y. H. Lee, H. J. Lee, and Y. G. Hwang, Inst. Phys. Conf. Ser. 145, 209 (1996).
7. W. J. Choyke, Z. C. Feng, and J. A. Powell, J. Appl. Phys. 64, 3163 (1988).
8. K. Nishino, T. Kimoto, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. 1 34, L1110 (1995).
9. H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, H. Okumura, S. Misawa, and S. Yoshida, J. Appl. Phys. 77, 837 (1995).
10. H. W. Shim, Y. H. Seo, K. S. Nahm, E.-K. Suh, H. J. Lee, Y. G. Hwang, J. I. Lee, and D. H. Kim (unpublished).
11. H. Munekata, S. Murasato, and H. Kukimoto, Appl. Phys. Lett. 37, 536 (1980).
12. D. Engemann, R. Fischer, and J. Knecht, Appl. Phys. Lett. 32, 567 (1978).
13. T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett. 64, 226 (1994).
14. J. M. Rehm, G. L. McLendon, L. Tsybeskov, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 66, 3669 (1995).
15. A. J. Kontkiewicz, A. M. Kontkiewicz, J. Siejka, S. Sen, G. Nowak, A. M. Hoff, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachchi, and J. Lagowski, Appl. Phys. Lett. 65, 1436 (1994).
16. X. Zhao, O. Schoenfeld, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Appl. Phys. Lett. 65, 1290 (1994).
17. H. Tamura, M. Rückschloss, T. Wirschem, and S. Veprěk, Appl. Phys. Lett. 65, 1537 (1994).
18. M. Rückschloss, Th, Wirschem, H. Tamura, G. Ruhl, J. Oswald, and S. Veprěk, J. Lumin. 63, 279 (1995).
19. P. Liaw and R. F. Davis, J. Electrochem. Soc. 132, 642 (1985).
20. H. Tsai, W. Lin, W. J. Sah, and S. Lee, J. Appl. Phys. 64, 1930 (1988).