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Volumn 25, Issue 9, 2008, Pages 3448-3451

Improved light extraction of GaN-based LEDs with nano-roughened p-GaN surfaces

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GALLIUM NITRIDE; III-V SEMICONDUCTORS; LIGHT; PLASMA ETCHING;

EID: 56349115855     PISSN: 0256307X     EISSN: 17413540     Source Type: Journal    
DOI: 10.1088/0256-307X/25/9/095     Document Type: Article
Times cited : (9)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.