A comparative study on nanotextured high density Mg-doped and undoped GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 4, 2007, Pages

  Pal, Suparna ^a   Ingale, Alka ^a   Dixit, V K ^a   Sharma, T K ^a   Porwal, S ^a   Tiwari, Pragya ^a   Nath, A K ^a  

^a RAJA RAMANNA CENTRE FOR ADVANCED TECHNOLOGY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ELECTROCHEMICAL ETCHING; ELECTRON ENERGY LEVELS; GALLIUM NITRIDE; MAGNESIUM; PHOTOLUMINESCENCE;

BLUESHIFT; EXCITONIC EMISSIONS; NANOTEXTURED MATERIALS; PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33847687230     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2655185     Document Type: Article

References (46)

1. M. A. Stevens-Kalceff, I. M. Tiginyanu, S. Langa, H. Foll, and H. L. Hartnagel, J. Appl. Phys. 89, 2560 (2001).
2. F. J. P. Schuurmans, D. Vanmaekelbergh, J. van de Lagemaat, and A. Lagendijk, Science 284, 141 (1999).
3. I. M. Tiginyanu, I. V. Kravetsky, G. Marowsky, and H. L. Hartnagel, Phys. Status Solidi A 175, R5 (1999).
4. I. M. Tiginyanu, I. V. Kravetsky, G. Marowsky, J. Monecke, and H. L. Hartnagel, Phys. Status Solidi B 221, 557 (2000).
5. H. Foll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, and I. M. Tiginyanu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 183 (2003).
6. J. G. Rivas, A. Lagendijk, R. W. Tjerkstra, D. Vanmaekelbergh, and J. J. Kelly, Appl. Phys. Lett. 80, 4498 (2002).
7. I. M. Tiginyanu, I. V. Kravetsky, S. Langa, G. Marowsky, J. Monecke, and H. Foll, Phys. Status Solidi A 197, 549 (2003).
8. B. K. Ghosh, T. Tanikawa, A. Hasimoto, A. Yamamoto, and Y. Ito, J. Cryst. Growth 249, 422 (2003).
9. A. Bakin, D. Piester, I. Behrens, H. H. Wehmann, E. Peiner, A. Ivanov, D. Fehly, and A. Schlachetzki, Cryst. Growth Des. 3, 89 (2003).
10. S. Y. Bae, H. W. Sea, J. Park, H. Yang, H. Kim, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 4564 (2003).
11. H. M. Ng, N. G. Wiemann, and A. Chowdhury, J. Appl. Phys. 94, 650 (2003).
12. T. L. Williamson, D. J. Diaz, P. W Bohn, and R. J. Molnar, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 925 (2004).
13. L. Bergman, X.-B. Chen, J. L. Morrison, J. Huso, and A. P. Purdy, J. Appl. Phys. 96, 675 (2004).
14. J. A. Grenko, C. L. Reynolds, Jr., R. Schlesser, J. J. Hren, K. Bachmann, Z. Sitar, and P. G. Kotula, J. Appl. Phys. 96, 5185 (2004).
15. A. P. Vajpeyi, S. Tripathy, S. J. Chus, and E. A. Fitzgerald, Physica E (Amsterdam) 28, 141 (2005).
16. I. M. Tiginyanu, V. V. Urasaki, V. V. Zalamai, S. Langa, S. Hubbard, D. Pavildis, and H. Foll, Appl. Phys. Lett. 83, 1551 (2003).
17. R. Kudrawiec, M. Nyk, M. Syperek, A. Podhorodecki, J. Misiewicz, and W. Strek, Appl. Phys. Lett. 88, 181916 (2006).
18. F.-I. Lai, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 1123 (2006).
19. J. E. Borton, C. Cai, M. I. Nathan, P. Chow, J. M. Van Hove, A. Wowchak, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 77, 1227 (2000).
20. J. M. Myoung, K. H. Shim, C. Kim, O. Glinschenkov, K. Kim, S. Kim, D. A. Turnbull, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 69, 2722 (1996).
21. M. Smith, Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996).
22. A. K. Viswanath, E.-J. Shin, J. I. Lee, S. Yu, and D. Kim, J. Appl. Phys. 83, 2272 (1998).
23. W. Gotz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
24. L. Eckey, J. Appl. Phys. 84, 5828 (1998).
25. F. Shahedipour and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 76, 3011 (2000).
26. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
27. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang, and W. C. Chen, J. Appl. Phys. 84, 4590 (1998).
28. M. A. Reshchikov, G.-C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).
29. H. Teisseyre, Phys. Rev. B 62, 10151 (2000).
30. A. Ingale, S. Pal, V. K. Dixit, and P. Tiwari, J. Nanosci. Nanotechnol. (in press).
31. Y. J. Lin, Z. L. Wang, and H. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 81, 5183 (2002).
32. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
33. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
34. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
35. C.-F. Lin, J.-H. Zheng, Z.-J. Yang, J.-J. Dai, D.-Y. Lin, C.-Y. Chang, Z.-X. Lai, and C. S. Hong, Appl. Phys. Lett. 88, 082131 (2006).
36. T. Paskova, B. Armaudov, P. P. Paskov, E. M. Goldys, U. Sodervall, and B. Monemar, J. Appl. Phys. 98, 033508 (2005).
37. D. Ouadjaout and Y. Marfaing, Phys. Rev. B 46, 7908 (1992).
38. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 79, 54 (2001).
39. T. Mozume and J. Kasai, J. Appl. Phys. 95, 1050 (2004).
40. S. D. Singh, S. Porwal, T. K. Sharma, and K. C. Rustagi, J. Appl. Phys. 99, 063517 (2006).
41. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. H. Kim, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 83, 4083 (2003).
42. J. Li, K. B. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 79, 3245 (2001).
43. W. C. Ke, Appl. Phys. Lett. 85, 3047 (2004).
44. Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, Phys. Rev. B 61, 7203 (2000).
45. Y. S. Park, C. M. Park, D. J. Fu, T. W. Kang, and J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 85, 5718 (2004).
46. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998).