Resistive memory effect in self-assembled 3-aminopropyltrimethoxysilane molecular multilayers

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 205, Issue 2, 2008, Pages 373-377

  Chauhan, A K ^a   Aswal, D K ^a   Koiry, S P ^a   Padma, N ^a   Saxena, V ^a   Gupta, S K ^a   Yakhmi, J V ^a  

^a BHABHA ATOMIC RESEARCH CENTRE   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCES; HYSTERESIS EFFECTS; MOLECULAR MULTILAYERS; NEGATIVE BIASSED; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCES; ON/OFF RATIOS; PHOTOELECTRON MICROSCOPIES; RESISTIVE MEMORY EFFECTS; SELF-ASSEMBLY; WATER CONTACT ANGLES; X-RAY DIFFRACTIONS;

CONTACT ANGLE; ELASTICITY; HYSTERESIS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SILICON COMPOUNDS;

MULTILAYERS;

EID: 54049154864     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723329     Document Type: Article

References (23)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (IRTS), 2006 (http:/www.itrs.net/reports.html).
2. J. Chen, W. Wang, M. A. Reed, A. M. Rawlett, D. W. Price, and J. M Tour, Appl. Phys. Lett. 77, 1224 (2000).
3. C. P. Collier, E. W. Wong, M. Belohradsky, F. M. Raymo, J. F. Stodart, P. J. Kuekes, R. S. Williams, and J. R. Heath, Science 285, 391 (1999).
4. Y. Chen, D. A. A. Ohlberg, X. Li, D. R. Stewart, and R. S. Willaims, Appl. Phys. Lett. 82, 1610 (2003).
5. D. R. Stewart, D. A. A. Ohlberg, P. A. Beck, Y. Chen, and R. S. Willaims, Nano Lett. 4, 133 (2004).
6. J. He, B. Chen, A. K. Flatt, J. J. Stephenson, C. D. Doyle, and J. M. Tour, Nature Mater. 5, 63 (2006).
7. G. K. Ramachandran, T. J. Hopson, A. M. Rawlett, L. A. Nagahara, A. Primak, and S. M. Lindsay, Science 300, 1413 (2003).
8. Z. J. Donhauser, B. A. Mantooth, K. F. Kelly, L. A. Bumm, J. D. Monnell, J. J. Stapleton, D. W. Price, A. M. Rawlett, D. L. Allara, J. M. Tour, and P. S. Weiss, Science 292, 2302 (2001).
9. C. P. Collier, G. Mattersteig, E. W. Wong, Y. Luo, K. Baverly, J. Sampaio, F. M. Raymo, J. F. Stoddart, and J. R. Heath, Science 289, 1172 (2000).
10. C. N. Lau, D. R. Stewart, R. S. Willaims, and M. Bockrath, Nano Lett. 4, 569 (2004).
11. A. M. Rawlett, T. J. Hopson, L. A. Nagahara, R. K. Tsui, G. K. Ramachandran, and S. M. Lindsay, Appl. Phys. Lett. 81, 3043 (2002).
12. M. A. Reed, J. Chen, A. M. Rawlett, D. W. Price, and J. M. Tour, Appl. Phys. Lett. 78, 3735 (2001).
13. J. M. Seminario, A. G. Zacarias, and J. M. Tour, J. Am. Chem. Soc. 122, 3015 (2000).
14. D. K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J. V. Yakhmi, and D. Vuillaume, Anal. Chim. Acta 568, 84 (2006).
15. D. K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J. V. Yakhmi, and D. Vuillaume, Small 1, 725 (2005).
16. S. P. Koiry, D. K. Aswal, V. Saxena, N. Padma, A. K. Chauhan, N. Joshi, S. K. Gupta, J. V. Yakhmi, D. Guerin, and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 90, 113118 (2007).
17. J. G. Simmons and R. V. Verderber, Proc. R. Soc. A 301, 77 (1967).
18. J. B. Brzoska, I. B. Azouz, and F. Rondelez, Langmuir 10, 4367 (1994).
19. G. C. Allen, F. Sorbello, C. Altavilla, A. Castorina, and E. Ciliberto, Thin Solid Films 483, 306 (2005).
20. T. J. Horr and P. S. Arora, Colloids Surf. A 126, 113 (1997).
21. K. S. Taton and P. E. Guire, Colloids Surf. B 24, 123 (2002).
22. J. D. Le, Y. He, T. R. Hoye, C. C. Mead, and R. A. Kiehl, Appl. Phys. Lett. 83, 5518 (2003).
23. A. Salomon, D. Cahen, S. M. Lindsay, J. Tomfohr, V. B. Engelkes, and C. D. Frisbie, Adv. Mater. 15, 1881 (2003).