Determination of internal parameters in blue InGaN laser diodes by the measurement of cavity-length dependent characteristics

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 1, 2008, Pages

  Ryu, H Y ^a   Ha, K H ^b   Son, J K ^c   Lee, S N ^c   Paek, H S ^c   Jang, T ^c   Sung, Y J ^c   Kim, K S ^c   Kim, H K ^c   Park, Y ^c   Nam, O H ^d  

^a Inha University   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^c Samsung Electro Mechanics   (South Korea)

^d Korea Polytechnic University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASERS; PULSED LASER DEPOSITION; QUANTUM WELL LASERS; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS (AIP); CAVITY LENGTHS; GAIN PARAMETERS; INGAN LASER DIODES; INTERNAL EFFICIENCY; INTERNAL LOSSES; INTERNAL PARAMETERS; SINGLE QUANTUM WELL LASERS; SLOPE EFFICIENCIES; THRESHOLD CURRENTS;

LADDER NETWORKS;

EID: 47249108942     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2956413     Document Type: Article

References (18)

1. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE 6133, 613306 (2006).
2. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, H. K. Kim, K. S. Kim, O. H. Nam, Y. Park, and J. I. Shim, IEEE Photonics Technol. Lett. 19, 1717 (2007).
3. U. Strauß, S. Brüninghoff, M. Schillgalies, C. Vierheilig, N. Gmeinwieser, V. Kümmler, G. Brüderl, S. Lutgen, A. Avramescu, D. Queren, D. Dini, C. Eichler, A. Lell, and U. T. Schwarz, Proc. SPIE 6894, 689417 (2008).
4. T. Miyoshi, T. Kozaki, T. Yanamoto, Y. Fujimura, S. Nagahama, and T. Mukai, J. Soc. Inf. Disp. 15, 157 (2007).
5. M. Ohta, Y. Ohizumi, Y. Hoshina, T. Tanaka, Y. Yabuki, K. Funato, S. Tomiya, S. Goto, and M. Ikeda, Phys. Status Solidi A 203, 2068 (2007).
6. M. Kubota, K. Okamoto, T. Tanaka, and H. Ohta, Appl. Phys. Express 1, 011102 (2008).
7. S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
8. M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya, S. Goto, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, and T. Hashizu, Phys. Status Solidi A 1, 1461 (2004).
9. U. T. Schwarz, E. Sturm, W. Wegscheider, V. Kümmler, A. Lell, and V. Härle, Appl. Phys. Lett. 83, 4095 (2003).
10. B. Witzigmann, V. Laino, M. Luisier, U. T. Schwarz, G. Feicht, W. Wegscheider, K. Engl, M. Furitsch, A. Leber, A. Leel, and V. Härle, Appl. Phys. Lett. 88, 021104 (2006).
11. K. Kojima, U. T. Schwarz, M. Funato, Y. Kawakami, S. Nagahama, and T. Mukai, Opt. Express 15, 7730 (2007).
12. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, H. K. Kim, J. H. Chae, K. S. Kim, K. K. Choi, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, O. H. Nam, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 89, 031122 (2006).
13. L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, New York, 1995).
14. J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.: Optoelectron. 149, 145 (2002).
15. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, K. K. Choi, T. Jang, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. K. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, O. H. Nam, and Y. Park, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1001 (2006).
16. H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. H. Chae, K. S. Kim, J. K. Son, O. H. Nam, Y. Park, and J. I. Shim, Appl. Phys. Lett. 89, 171106 (2006).
17. H. Jiang and J. Singh, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1058 (2000).
18. A. T. Meney and E. P. O'Reilly, Appl. Phys. Lett. 67, 3013 (1995).