Evaluation of radiative efficiency in InGaN blue-violet laser-diode structures using electroluminescence characteristics

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 17, 2006, Pages

  Ryu, H Y ^a   Ha, K H ^a   Chae, J H ^a   Kim, K S ^a   Son, J K ^a   Nam, O H ^a   Park, Y J ^a   Shim, J I ^b  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); ELECTRIC CURRENTS; ELECTROLUMINESCENCE; RADIATION; SEMICONDUCTING INDIUM; THERMAL EFFECTS;

NORADIATIVE RECOMBINATION; RADIATIVE EFFICIENCY; SEMICONDUCTOR RATE EQUATIONS; THRESHOLD CURRENTS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33750454413     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2364273     Document Type: Article

References (18)

1. M. Takeya, T. Hashizu, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5738, 63 (2005).
2. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE 6133, 613306 (2006).
3. O. H. Nam, K. H. Ha, H. Y. Ryu, S. N. Lee, T. Jang, K. K. Choi, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, and Y. J. Park, Proc. SPIE 6133, 61330N (2006).
4. P. Gibart, Rep. Prog. Phys. 67, 667 (2004).
5. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L309 (1998).
7. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2000).
8. S. Chichibu, M. Sugiyama, T. Onuma, T. Kitamura, H. Nakanishi, T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Sota, Y. Ishida, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 79, 4319 (2001).
9. J. K. Son, S. N. Lee, T. Sakong, H. S. Paek, O. Nam, Y. Park, J. S. Hwang, J. Y. Kim, and Y. H. Cho, J. Cryst. Growth 287, 558 (2006).
10. A. Hangleiter, D. Fuhrmann, M. Grewe, F. Hitzel, G. Klewer, S. Lahmann, C. Netzel, N. Riedel, and U. Rossow, Phys. Status Solidi A 201, 2809 (2004).
11. C. van Opdorp and G. W. Hooft, J. Appl. Phys. 52, 3827 (1981).
12. G. B. Ren, H. Summers, P. Blood, R. Perks, and D. Bour, Proc. SPIE 4283, 78 (2001).
13. L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, New York, 1995), pp. 31 and 171.
14. J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.: Optoelectron. 149, 145 (2002).
15. T. Asano, M. Takeya, T. Mizuno, S. Ikeda, Y. Ohfuji, T. Fujimoto, K. Oikawa, S. Goto, T. Hashizu, K. Aga, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5365, 297 (2004).
16. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. Jang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2717 (2004).
17. H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. H. Chae, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 87, 093506 (2005).
18. T. Hino, T. Asano, T. Tojyo, S. Kijima, S. Tomiya, T. Miyajima, S. Uchida, and M. Ikeda, Phys. Status Solidi A 188, 101 (2001).