Identification of acceptor states in Li-doped p-type ZnO thin films

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 4, 2006, Pages

  Zeng, Y J ^a   Ye, Z Z ^a   Lu, J G ^a   Xu, W Z ^a   Zhu, L P ^a   Zhao, B H ^a   Limpijumnong, Sukit ^b,c  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^b SURANAREE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Thailand)

^c National Synchrotron Research Center Thailand   (Thailand)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; DOPING (ADDITIVES); LITHIUM; MAGNETRON SPUTTERING; PHOTOLUMINESCENCE; ZINC OXIDE;

FREE-TO-NEUTRAL-ACCEPTOR TRANSITIONS; REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING; VALENCE BAND; ZNO THIN FILMS;

THIN FILMS;

EID: 33746583652     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2236225     Document Type: Article

References (23)

1. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
2. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
3. J. F. Rommeluere, L. Svob, F. Jomard, J. Mimila-Arroyo, A. Lusson, V. Sallet, and Y. Marfaing, Appl. Phys. Lett. 83, 287 (2003).
4. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 173506 (2006).
5. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
6. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
7. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
8. Y. J. Li, Y. W. Heo, Y. Kwon, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 87, 072101 (2005).
9. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
10. E. C. Lee and K. J. Chang, Phys. Rev. B 70, 115210 (2004).
11. M. G. Wardle, J. P. Goss, and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 71, 155205 (2005).
12. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, D. Y. Li, J. G. Lu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 88, 062107 (2006).
13. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, L. L. Chen, D. Y. Li, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and Y. L. Hu, J. Cryst. Growth 283, 180 (2005).
14. D. C. Look, B. Claflin, Y. I. Alivov, and S. J. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2203 (2004).
15. C. L. Wu, J. C. Wang, M. H. Chan, T. T. Chen, and S. Gwoa, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003).
16. L. J. Wang and N. C. Gilesa, J. Appl. Phys. 94, 973 (2003).
17. D. C. Look, Semicond. Sci. Technol. 20, S55 (2005).
18. B. J. Skromme and G. L. Martinez, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W9.8 (2000).
19. A. K. Rice and K. J. Malloy, J. Appl. Phys. 89, 2816 (2001).
20. A. F. Kohan, G. Ceder, and D. Morgan, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
21. F. Tuomisto, V. Ranki, K. Saarinen, and D. C. Look, Phys. Rev. Lett. 91, 205502 (2003).
22. Y. Ma, G. T. Du, S. R. Yang, Z. T. Li, B. J. Zhao, X. T. Yang, T. P. Yang, Y. T. Zhang, and D. L. Liu, J. Appl. Phys. 95, 6268 (2004).
23. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003).