Light emission efficiency and dynamics in silicon-rich silicon nitride films

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 23, 2006, Pages

  Dal Negro, L ^a,c   Yi, J H ^a   Michel, J ^a   Kimerling, L C ^a   Chang, T W F ^b   Sukhovatkin, V ^b   Sargent, E H ^b  

^a MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b UNIVERSITY OF TORONTO   (Canada)

^c Boston University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LIGHT EMISSION TEMPERATURE; RECOMBINATION DYNAMICS; THERMAL ANNEALING; THERMAL QUENCHING;

ANNEALING; LIGHT EMISSION; PHOTOELECTRIC DEVICES; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; QUANTUM EFFICIENCY; QUENCHING; SEMICONDUCTING FILMS;

SILICON NITRIDE;

EID: 33745036683     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2208378     Document Type: Article

References (26)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Nature (London) 378, 258 (1995).
3. K. D. Hirschman, L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta, and P. M. Fauchet, Nature (London) 384, 338 (1996).
4. Silicon Photonics, edited by, L. Pavesi, and, D. J. Lockwood, (Springer, Berlin, 2004).
5. J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. H̀rino, M. Ligeon, F. Muller, R. Romestain, and R. M. Macfarlane, Phys. Rev. B 45, 14171 (1992).
6. B. Gelloz, T. Nakagawa, and N. Koshida, Appl. Phys. Lett. 73, 2021 (1998).
7. B. Gelloz, Appl. Surf. Sci. 108, 449 (1997).
8. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzó, and F. Priolo, Nature (London) 408, 440 (2000).
9. L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, and J. Sinkkonen, Appl. Phys. Lett. 79, 1249 (2001).
10. L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi, S. Ossicini, D. Pacifici, G. Franzó, F. Priolo, and F. Iacona, Appl. Phys. Lett. 82, 4636 (2003).
11. J. Ruan, P. M. Fauchet, L. Dal Negro, M. Cazzanelli, and L. Pavesi, Appl. Phys. Lett. 83, 5479 (2003).
12. M. J. Chen, J. L. Yen, J. Y. Li, J. F. Chang, S. C. Tsai, and C. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 84, 2163 (2004).
13. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
14. A. J. Williamson, J. C. Grossman, R. Q. Hood, A. Puzder, and G. Galli, Phys. Rev. Lett. 89, 196803 (2002).
15. E. Degoli, G. Cantele, E. Luppi, R. Magri, D. Ninno, O. Bisi, and S. Ossicini, Phys. Rev. B 69, 155411 (2004).
16. N. M. Park, C. J. Choi, T. Y. Seong, and S. J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
17. L. Dal Negro, J. H. Yi, V. Nguyen, Y. Yi, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 86, 261905 (2005).
18. K. S. Cho, N. M. Park, T. Y. Kim, K. H. Kim, G. Y. Sung, and J. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 071909 (2005).
19. M. Stolfi, L. Dal Negro, J. Michel, X. Duan, J. Le Blanc, J. Haavisto, and L. C. Kimerling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 832, F.11.8.1 (2005).
20. T.-W. F. Chang, A. Maria, P. W. Cyr, V. Sukhovatkin, L. Levina, and E. H. Sargent, Synth. Met. 148, 257 (2005).
21. M. L. Brongersma, P. G. Kik, A. Polman, K. S. Min, and Harry A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 76, 351 (2000).
22. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
23. P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, K. J. Kane, and D. Brumhead, J. Phys.: Condens. Matter 5, L91 (1993).
24. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971).
25. S. V. Deshpande, E. Gulari, S. W. Brown, and S. C. Rand, J. Appl. Phys. 77, 6534 (1995).
26. L. Dal Negro, J. H. Yi, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, and G. Galli, Appl. Phys. Lett. 88, 183103 (2006).