The influence of lattice oxygen on the initial growth behavior of heteroepitaxial Ge layers on single crystalline Pr O2 (111) Si (111) support systems

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 8, 2008, Pages

  Giussani, A ^a   Seifarth, O ^a   Rodenbach, P ^a   Mussig H J ^a   Zaumseil, P ^a   Weisemoller T ^b   Deiter, C ^b   Wollschlager J ^b   Storck, P ^c   Schroeder, T ^a  

^a IHP   (Germany)

^b UNIVERSITY OF OSNABRÜCK   (Germany)

^c SILTRONIC AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; EPITAXIAL GROWTH; OXYGEN; PRASEODYMIUM COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS;

GROWTH BEHAVIOR; INITIAL GROWTH BEHAVIOR; LATTICE OXYGEN;

LATTICE CONSTANTS;

EID: 43049094804     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2870270     Document Type: Article

References (62)

1. T. Akatsu, C. Deguet, L. Sanchez, F. Allibert, D. Rouchon, T. Signamarcheix, C. Richtarch, A. Boussagol, V. Loup, F. Mazen, J.-M. Hartmann, Y. Campidelli, L. Clavelier, F. Letertre, N. Kernevez, and C. Mazure, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 444 (2006).
2. " AMI & Soitec work to develop GeOI wafers," in III-Vs Review, Vol. 17, Issue 4 (2004) p. 6.
3. S. W. Bedell, A. Reznicek, K. Fogel, J. Ott, and D. K. Sadana, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 423 (2006).
4. N. A. Bojarczuk, M. Copel, S. Guha, V. Narayanan, E. J. Preisler, F. M. Ross, and H. Shang, Appl. Phys. Lett. 83, 5443 (2003).
5. J. W. Seo, C. Dieker, A. Tapponnier, C. Marchiori, M. Sousa, J.-P. Locquet, J. Fompeyrine, A. Ispas, C. Rossel, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, and A. Dimoulas, Microelectron. Eng. 84, 2328 (2007).
6. H. Tanoto, S. F. Yoon, W. K. Loke, E. A. Fitzgerald, C. Dohrman, B. Narayanan, M. T. Doan, and C. H. Tung, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 152 (2006).
7. T. Schroeder, P. Zaumseil, G. Weidner, C. Wenger, J. Dabrowski, and H.-J. Müssig, J. Appl. Phys. 99, 014101 (2006).
8. T. Weisemöller, C. Deiter, S. Gevers, F. Bertram, T. Schroeder, A. Giussani, P. Zaumseil, and J. Wollschlaeger (submitted).
9. D. O. Klenov, L. F. Edge, D. G. Schlom, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 86, 051901 (2005).
10. H. Tabata, E. Ishii, and H. Okuda, J. Cryst. Growth 52, 956 (1981).
11. M.-H. Cho, D.-H. Ko, Y. K. Choi, I. W. Lyo, K. Jeong, T. G. Kim, J. H. Song, and C. N. Whang, J. Appl. Phys. 89, 1647 (2001).
12. M. E. Hunter, M. J. Reed, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 76, 1935 (2000).
13. R. C. Henderson, W. J. Polito, and J. Simpson, Appl. Phys. Lett. 16, 15 (1970).
14. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
15. V. De Renzi, R. Biagi, and U. del Pennino, Surf. Sci. 497, 247 (2002).
16. T. Schroeder, T.-L. Lee, L. Libralesso, I. Joumard, J. Zegenhagen, P. Zaumseil, C. Wenger, G. Lupina, G. Lippert, J. Dabrowski, and H.-J. Müssig, J. Appl. Phys. 97, 074906 (2005).
17. J. J. Yeh and I. Lindau, At. Data Nucl. Data Tables 32, 1 (1985).
18. D. D. Koelling, A. M. Boring, and J. H. Wood, Solid State Commun. 47, 227 (1983).
19. L. Petit, A. Svane, Z. Szotek, and W. M. Temmerman, Phys. Rev. B 72, 205118 (2005).
20. D. A. Burnham and L. Eyring, J. Phys. Chem. 72, 4415 (1968).
21. L. Eyring and N. C. Baenziger, J. Appl. Phys. 33, 428 (1962).
22. L. Eyring and B. Holmberg, Adv. Chem. Ser. 39, 4657 (1961).
23. T. Schroeder, P. Zaumseil, G. Weidner, G. Lupina, C. Wenger, and H.-J. Müssig, J. Appl. Phys. 98, 123513 (2005).
24. N. S. Sokolov, J. C. Alvarez, Y. V. Shusterman, N. L. Yakovlev, R. M. Overney, Y. Itoh, I. Takahashi, and J. Harada, Appl. Surf. Sci. 104-105, 402 (1996).
25. C. R. Wang, B. H. Müller, and K. R. Hofmann, Thin Solid Films 410, 72 (2002).
26. S. Ohmi, T. Kazuo, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1121 (1994).
27. R. W. Fathauer, N. Lewis, E. L. Hall, and L. J. Schowalter, J. Appl. Phys. 60, 3886 (1986).
28. T. Schroeder, I. Costina, A. Giussani, G. Weidner, O. Seifarth, C. Wenger, P. Zaumseil, C. Mocuta, T. H. Metzger, D. Geiger, and H. Lichte, J. Appl. Phys. 102, 034107 (2007).
29. M. Padovani, E. Magnano, G. Bertoni, V. Spreafico, L. Gavioli, and M. Sancrotti, Appl. Surf. Sci. 212-213, 213 (2003).
30. H. J. W. Zandvliet and A. Van Silfhout, Surf. Sci. 195, 138 (1988).
31. J. J. Koulmann, D. Steinmetz, F. Ringeisen, and D. Bolmont, Physica B 170, 492 (1991).
32. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer Corporation, Eden Prairie, 1992).
33. N. A. Tabet, M. A. Salim, and A. L. Al-Oteibi, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 101-103, 233 (1999).
34. N. Tabet, M. Faiz, N. M. Hamdan, and Z. Hussain, Surf. Sci. 523, 68 (2003).
35. K. Prabhakaran and T. Ogino, Surf. Sci. 325, 263 (1995).
36. D. Schmeisser, R. D. Schnell, A. Bogen, F. J. Himpsel, D. Rieger, G. Landgren, and J. F. Morar, Surf. Sci. 172, 455 (1986).
37. T. Gougousi, M. J. Kelly, D. B. Terry, and G. N. Parsons, J. Appl. Phys. 93, 1691 (2003).
38. G. Lupina, T. Schroeder, J. Dabrowski, C. Wenger, A. U. Mane, H.-J. Müssig, P. Hoffmann, and D. Schmeisser, J. Appl. Phys. 99, 114109 (2006).
39. A. Molle, M. N. K. Bhuiyan, G. Tallarida, and M. Fanciulli, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 673 (2006).
40. K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino, Appl. Phys. Lett. 76, 2244 (2000).
41. L. Surnev, Surf. Sci. 110, 439 (1981).
42. S. Lütkehoff, M. Neumann, and A. lebarski, Phys. Rev. B 52, 13808 (1995).
43. C. G. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2650 (2000).
44. H. Ogasawara, A. Kotani, R. Potze, G. A. Sawatzky, and B. T. Thole, Phys. Rev. B 44, 5465 (1991).
45. L. Gerward, J. Staun Olsen, L. Petit, G. Vaitheeswaran, V. Kanchana, and A. Svane, J. Alloys Compd. 400, 56 (2005).
46. M. Diviš and J. Rusz, J. Magn. Magn. Mater. 290-291, 1015 (2005).
47. N. V. Skorodumova, R. Ahuja, S. I. Simak, I. A. Abrikosov, B. Johansson, and B. I. Lundqvist, Phys. Rev. B 64, 115108 (2001).
48. B. Fischer, R. A. Pollak, T. H. DiStefano, and W. D. Grobman, Phys. Rev. B 15, 3193 (1977).
49. W. Ranke, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 61, 231 (1993).
50. T. L. Barr, M. Mohsenian, and L. M. Chen, Appl. Surf. Sci. 51, 71 (1991).
51. V. V. Nemoshkalenko, V. G. Aleshin, and Y. N. Kucherenko, Solid State Commun. 20, 1155 (1976).
52. J. Szajman, J. G. Jenkin, J. Liesegang, and R. C. G. Leckey, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 14, 41 (1978).
53. D. E. Eastman, W. D. Grobman, J. L. Freeouf, and M. Erbudak, Phys. Rev. B 9, 3473 (1974).
54. G. V. Antoshin, K. M. Minachev, and R. V. Dmitriev, Russ. Chem. Bull. 16, 1793 (1967).
55. T. T. Bakumenko, Kinet. Katal. 6, 74 (1965).
56. H. He, H. X. Dai, and C. T. Au, Catal. Today 90, 245 (2004).
57. C. K. Narula, L. P. Haack, W. Chun, H.-W. Jen, and G. W. Graham, J. Phys. Chem. B 103, 3634 (1999).
58. G. C. Fitzgibbon, E. J. Huber, Jr., and C. E. Holley, Jr., Rev. Chim. Miner. 10, 29 (1973).
59. M. Zinkevich, Prog. Mater. Sci. 52, 597 (2007).
60. Handbook of Chemistry and Physics, 73rd ed. (The Chemical Rubber Publishing Company, Boca Raton, FL, 1992).
61. S. A. Gramsch and L. R. Morss, J. Chem. Thermodyn. 27, 551 (1995).
62. A. Dimoulas, D. P. Brunco, S. Ferrari, J. W. Seo, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, T. Conard, M Caymax, S. Spiga, M. Fanciulli, C. Dieker, E. K. Evangelou, S. Galata, M. Houssa, and M. M. Heyns, Thin Solid Films 515, 6337 (2007).