Energy-band alignments of Hf O2 on p-GaAs substrates

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 4, 2008, Pages

  Dalapati, Goutam Kumar ^a   Oh, Hoon Jung ^b   Lee, Sung Joo ^b   Sridhara, Aaditya ^a   Wong, Andrew See Weng ^a   Chi, Dongzhi ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; HAFNIUM COMPOUNDS; REACTION KINETICS; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ENERGY-BAND ALIGNMENTS; INTERFACIAL PASSIVATION LAYERS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 38849107719     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2839406     Document Type: Article

References (19)

1. M. W. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.283.5409.1897 283, 1897 (1999).
2. M. J. Hale, S. I. Yi, A. C. Kummel, and M. Passlack, J. Chem. Phys. JCPSA6 0021-9606 10.1063/1.1601596 119, 6719 (2003).
3. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1590743 83, 180 (2003).
4. G. K. Dalapati, A. Sridhara, A. S. W. Wong, C. K. Chia, S. J. Lee, and D. Z. Chi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2822422 91, 242101 (2007).
5. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabel, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1899745 86, 152904 (2005).
6. G. K. Dalapati, Y. Tong, W. Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2732821 90, 183510 (2007).
7. G. K. Dalapati, Y. Tong, W. Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices IETDAI 0018-9383 10.1109/TED.2007.901261 54, 1831 (2007).
8. M. H. Zhang, I. J. Ok, H. S. Kim, T. Lee, G. Thareja, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2234304 89, 042902 (2006).
9. H. S. Kim, I. Ok, M. Zhang, F. Zhu, S. Park, J. Yum, H. Zhao, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2762291 91, 042904 (2007).
10. T. Yang, Y. Xuan, D. Zemlyanov, T. Shen, Y. Q. Wu, J. M. Woodall, P. D. Ye, F. S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, S. McDonnell, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2798499 91, 142122 (2007).
11. J. Robertson and B. Falabretti, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2213170 100, 014111 (2006).
12. J. K. Yang and H. H. Park, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1992652 87, 022104 (2005).
13. G. Seguini, M. Perego, S. Spiga, M. Fanciulli, and A. Dimoulas, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2805811 91, 192902 (2007).
14. M. S. Joo, B. J. Cho, C. C. Yeo, D. S. H. Chan, S. J. Whoang, S. Mathew, L. K. Bera, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices IETDAI 0018-9383 10.1109/TED.2003.816920 50, 2088 (2003).
15. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.44.1620 44, 1620 (1980).
16. M. Zhu, C. H. Tung, and Y. C. Yeo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2388246 89, 202903 (2006).
17. Y. Y. Mi, S. J. Wang, J. W. Chai, J. S. Pan, A. C. H. Huan, N. Ning, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2387986 89, 202107 (2006).
18. V. V. Afanas'ev and A. Stesmans, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2799091 102, 081301 (2007).
19. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Knowg, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1492024 81, 376 (2002).