Guided formation of a Sub-10 nm suicide dot array on an area patterned by electron-beam lithography

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 21, 2007, Pages 3469-3472

  Wi, Jung Sub ^a   Lee, Tae Yon ^a   Kim, Hyun Mi ^a   Lee, Hyo Sung ^a   Nam, Sung Wook ^a   Shin, Il Jae ^b   Shin, Kyung Ho ^b   Kim, Ki Bum ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; REACTION KINETICS; TEMPERATURE MEASUREMENT; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

PATTERNED ARRAYS;

PALLADIUM;

EID: 36249004923     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200701043     Document Type: Article

References (32)

1. D. L. Klein, R. Roth, A. K. L. Lim, A. P. Alivisatos, P. L. McEuen, Nature 1997, 559, 699.
2. U. Simon, Adv. Mater. 1998, 10, 1487.
3. J. D. Joannopoulos, P. R. Villeneuve, S. Fan, Nature 1997, 386, 143.
4. J. Liu, L. Fu, S. Hong, V. P. Dravid, C. A. Mirkin, Adv. Mater. 2002, 24, 231.
5. B. D. Terris, T. Thomson, J. Phys. D: Appl. Phys. 2005, 55, R199.
6. A. J. Haes, W. P. Hall, L. Chang, W. L. Klein, R. P. Van Duyne, Nano Lett. 2004, 4, 1029.
7. G. Li, S. Sun, R. J. Wilson, R. L. White, N. Pourmand, S. X. Wang, Sens. Actuators A Phys. 2006, 126, 98.
8. W. Henschel, Y. M. Georgiev, H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 2018.
9. Y. Ma, G. Tsvid, and F. Cerrina, J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 3124.
10. O. Dial, C. C. Cheng, A. Scherer, J. Vac. Sci. Technol. B 1998, 16, 3887.
11. Y. Ochiai, S. Manako, J. Fujita, E. Nomura, J. Vac. Sci. Technol. B 1999, 17, 933.
12. C. Vieu, F. Carcenac, A. Pépin, Y. Chen, M. Mejias, A. Lebib, L. Manin-Ferlazzo, L. Couraud, H. Launois, Appl. Surf. Sci. 2000, 164, 111.
13. S. Hosaka, H. Sano, M. Shirai, H. Sone, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 223 131.
14. C B. Murray, C. R. Kagan, M. G. Bawendi, Annu. Rev. Mater. Sci. 2000, 30, 545.
15. J. Park, E. Lee, N. Hwang, M. Kang, S. C. Kim, Y. Hwang, J. Park, H. Noh, J. Kim, J. Park, T. Hyeon, Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 2872.
16. J. P. Spatz, V. Z.-H. Chan, S. Mobmer, F. Kamm, A. Plettl, P. Ziemanm, M. Moller, Adv. Mater. 2002, 14, 1827.
17. Y. Cui, M. T. Bjork, J. A. Liddle, C. Sonnichsen, B. Boussert, A. P. Alivisatos, Nano Lett. 2004, 4, 1093.
18. R. Glass, M. Moller, J. P. Spatz, Nanotechnology 2003, 14, 1153.
19. J. Wi, T. Lee, K. Jin, D. H. Hong, K. H. Shin, K. B. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 2616.
20. Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS) data, ID 06-0559.
21. JCPDS data, ID 46-1043.
22. K. N. Tu, J. W. Mayer, in Thin Films - Interdiffusion and Reactions, (Eds: J. M. Poate, K. N. Tu, J. W. Mayer), Wiley InterScience, New York 1978, Ch. 10.
23. T. Shibata, T. W. Sigmon, J. K. Regolini, J. F. Gibbons, J. Eledro-chem. Soc. 1981, 128, 637.
24. T. W. Sigmon, J. L. Regolini, J. F. Gibbons, in Laser and Electronic Beam Processing of Electronic Materials (Eds: C. L. Anderson, G. K. Celler, G. A. Rozgonyil), North Holland, New York 1981, p. 531.
25. H. Ishiwara, H. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 718.
26. J. A. Knapp, S. T. Picraux, C. S. Wu, S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 1984, 44, 747.
27. D. Drouin, J. Beauvais, R. Lemire, E. Lavallee, R. Gauvin, M. Caron, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3020.
28. N. I. Nissim, A. Lietoila, R. B. Gold, J. F. Gibbons, J. Appl. Phys. 1980, 51, 274.
29. M. Lax, J. Appl. Phys. 1977, 48, 3919.
30. A. A. Iranmanesh, R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 1983, 1, 91.
31. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J. A. Yarmoff, Phys. Rev. B 1988, 55, 6084.
32. K. T. Ho, C. D. Lien, U. Shreter, M. A. Nicolet, J. Appl. Phys. 1985, 57, 232.