VAlVAg Ohmic contacts to n-AlGaNGaN heterostructures with a thin GaN cap

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 1, 2007, Pages

  Miller, M A ^b   Mohney, S E ^a  

^a PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALED METALLIZATION; ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; INTERFACES;

CONTACT RESISTANCE; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; METALLIZING; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 36049014046     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2753497     Document Type: Article

References (20)

1. M. W. Fay, G. Moldovan, N. J. Weston, P. D. Brown, I. Harrison, K. P. Hilton, A. Masterton, D. Wallis, R. S. Balmer, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 96, 5588 (2004).
2. M. W. Fay, G. Moldovan, N. J. Weston, P. D. Brown, I. Harrison, J. C. Birbeck, B. T. Hughes, M. J. Uren, and T. Martin, J. Appl. Phys. 92, 94 (2002).
3. F. M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida, and E. Piner, J. Appl. Phys. 100, 023708 (2006).
4. D. Selvanathan, F. M. Mohammad, A. Tesfayesus, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2409 (2004).
5. J. Chen, D. G. Ivey, J. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, and J. B. Webb, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1004 (2002).
6. S. Kaciulis, L. Pandolfi, S. Viticoli, M. Peroni, and A. Passaseo, Appl. Surf. Sci. 253, 1055 (2006).
7. A. N. Bright, P. J. Thomas, M. Weyland, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Appl. Phys. 89, 3143 (2001).
8. T. Ohki, M. Kanamura, T. Takahashi, T. Kikkawa, K. Joshin, and N. Hara, Phys. Status Solidi 2, 2529 (2005).
9. Y. Sun and L. F. Eastman, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2723 (2006).
10. B. Luo, F. Ren, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, A. G. Baca, R. D. Briggs, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 3910 (2003).
11. E. Nebauer, W. Osterle, J. Hilsenbeck, J. Wurfl, and A. Klein, Semicond. Sci. Technol. 17, 249 (2002).
12. J. Hilsenbeck, E. Nebauer, J. Wurfl, G. Trankle, and H. Obloh, Electron. Lett. 36, 980 (2000).
13. K. O. Schweitz, P. K. Wang, S. E. Mohney, and D. Gotthold, Appl. Phys. Lett. 80, 1954 (2002).
14. E. D. Readinger, S. E. Mohney, T. G. Pribicko, J. H. Wang, K. O. Schweitz, U. Chowdhury, M. M. Wong, R. D. Dupuis, M. Pophristic, and S. P. Guo, Electron. Lett. 38, 1230 (2002).
15. J. H. Wang, S. E. Mohney, S. H. Wang, U. Chowdhury, and R. D. Dupuis, J. Electron. Mater. 33, 1 (2004).
16. M. A. Miller, S. E. Mohney, A. Nikiforov, G. S. Cargill III, and K. H. A. Bogart, Appl. Phys. Lett. 89, 132114 (2006).
17. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman, Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001).
18. D. L. Hibbard, S. P. Jung, C. Wang, D. Ullery, Y. S. Zhao, H. P. Lee, W. So, and H. Liu, Appl. Phys. Lett. 83, 311 (2003).
19. J.-Y. Kim, S.-I. Na, G.-Y. Ha, M.-K. Kwon, I.-K. Park, J.-H. Lim, S.-J. Park, M.-H. Kim, D. Choi, and K. Min, Appl. Phys. Lett. 88, 043507 (2006).
20. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 87, 141915 (2005).