Carrier transport mechanisms of the writing and the erasing processes for Al/ZnO nanoparticles embedded in a polyimide layer/p-Si diodes

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 18, 2007, Pages

  Jung, J H ^a   Kim, H J ^a   Kim, B J ^a   Kim, T W ^a   Kim, Y H ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CARRIER TRANSPORT; ELECTRIC POTENTIAL; POLYIMIDES; SEMICONDUCTOR DIODES; THERMIONIC EMISSION;

ERASING PROCESSES; FLATBAND VOLTAGE SHIFT; POOLE-FRENKEL EFFECT;

NANOPARTICLES;

EID: 35649020702     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2803754     Document Type: Article

References (30)

1. L. Jiang, S. S. Li, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi, C. E. Ross, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 82, 1986 (2003).
2. X. Li, Y. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer, D. Park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham, Science 301, 809 (2003).
3. N. J. Craig, J. M. Tayler, E. A. Lester, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science 304, 565 (2004).
4. J. Berezovsky, M. H. Mikkelsen, O. Gywat, N. G. Stoltz, L. A. Coldren, and D. D. Awschalom, Science 314, 1916 (2006).
5. M. Ediger, G. Bester, B. D. Gerardot, A. Badolato, P. M. Petroff, K. Karrai, A. Zunger, and R. J. Warburton, Phys. Rev. Lett. 98, 036808 (2007).
6. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
7. A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
8. W. G. Van der Wiel, S. De Franceschi, J. M. Elzerman, S. Tarucha, L. P. Kouwenhoven, J. Motohisa, F. Nakajima, and T. Fukui, Phys. Rev. Lett. 88, 126803 (2002).
9. M. Kroutvar, Y. Ducommun, D. Heiss, M. Bichler, D. Schuh, G. Abstreiter, and J. J. Finley, Nature (London) 432, 81 (2004).
10. K. Hennessy, A. Badolato, M. Winger, D. Gerace, M. Atatüre, S. Gulde, S. Fält, E. L. Hu, and A. Imamoǧlu, Nature (London) 445, 896 (2007).
11. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
12. C. D. Chen, Y. Nakamura, and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 71, 2038 (1997).
13. T. W. Kim, D. C. Choo, J. H. Shim, and S. O. Kang, Appl. Phys. Lett. 80, 2168 (2002).
14. Y. C. King, T. J. King, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 696 (2001).
15. A. Kanjilal, J. L. Hansen, P. Gaiduk, A. N. Larsen, N. Cherkashin, A. Claverie, P. Normand, E. Kapelanakis, D. Skarlatos, and D. Tsoukalas, Appl. Phys. Lett. 82, 1212 (2003).
16. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, and E. F. Crabbe, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
17. D. C. Ralph, C. T. Black, and M. Tinkham, Phys. Rev. Lett. 78, 4087 (1997).
18. J. Shirakashi, K. Matsumoto, N. Miura, and M. Konagi, Appl. Phys. Lett. 72, 1893 (1998).
19. Y. Toda, O. Moriwaki, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Phys. Rev. Lett. 82, 4224 (1999).
20. E. Kapetanakis, P. Normand, D. Tsoukalas, and K. Beltsios, Appl. Phys. Lett. 80, 2794 (2002).
21. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. B. Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 95, 257 (2004).
22. S. Kolliopoulou, P. Dimitrakis, P. Normand, H.-L. Zhang, N. Cant, S. D. Evans, S. Paul, C. Pearson, A. Molloy, M. C. Petty, and D. Tsoukalas, J. Appl. Phys. 94, 5234 (2003).
23. C. Li, W. Fan, B. Lei, D. Zhang, S. Han, T. Tang, X. Liu, Z. Liu, S. Asano, M. Meyyappan, J. Han, and C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 84, 1949 (2004).
24. W. L. Leong, P. S. Lee, S. G. Mhaisklkar, T. P. Chen, and A. Dodablapur, Appl. Phys. Lett. 90, 042906 (2007).
25. J. H. Jung, J. Y. Jin, I. Lee, T. W. Kim, H. G. Roh, and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 112107 (2006).
26. Y.-H. Kim, G. F. Walker, J. Kim, and J. Park, J. Adhes. Sci. Technol. 1, 331 (1987).
27. Y. Chung, H. P. Park, H. J. Jeon, C. S. Yoon, S. K. Kim, and Y.-H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, L9 (2003).
28. M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron, and F. Mazon, Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004).
29. G. M. Sessler, B. Hahn, and D. Y. Yoon, J. Appl. Phys. 60, 318 (1986).
30. A. A. Alagiriswamy, K. S. Narayan, and G. Raju, J. Phys. D 25, 2850 (2002).