Memory effect of ZnO nanocrystals embedded in an insulating polyimide layer

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 11, 2006, Pages

  Jung, J H ^a   Jin, J Y ^a   Lee, I ^a   Kim, T W ^a   Roh, H G ^a   Kim, Y H ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; ELECTRONIC STRUCTURE; INSULATING MATERIALS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZINC OXIDE;

METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR; POLYIMIDE (PI) MATRIX; TRAPPING;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645139969     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2185615     Document Type: Article

References (25)

1. L. Jiang, S. S. Li, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi, C. E. Ross, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 82, 1986 (2003).
2. X. Li, Y. Wu, D. Steel, D. Gammon, T. H. Stievater, D. S. Katzer, D. Park, C. Piermarocchi, and L. J. Sham, Science 301, 809 (2003).
3. N. J. Craig, J. M. Tayler, E. A. Lester, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard, Science 304, 565 (2004).
4. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
5. A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
6. W. G. Van der Wiel, S. De Franceschi, J. M. Elzerman, S. Tarucha, L. P. Kouwenhoven, J. Motohisa, F. Nakajima, and T. Fukui, Phys. Rev. Lett. 88, 126803 (2002).
7. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
8. C. D. Chen, Y. Nakamura, and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 71, 2038 (1997).
9. T. W. Kim, D. C. Choo, J. H. Shim, and S. O. Kang, Appl. Phys. Lett. 80, 2168 (2002).
10. Y. C. King, T. J. King, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 696 (2001).
11. A. Kanjilal, J. L. Hansen, P. Gaiduk, A. N. Larsen, N. Cherkashin, A. Claverie, P. Normand, E. Kapelanakis, D. Skarlatos, and D. Tsoukalas, Appl. Phys. Lett. 82, 1212 (2003).
12. E. Kapetanakis, P. Normand, D. Tsoukalas, and K. Beltsios, Appl. Phys. Lett. 80, 2794 (2002).
13. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. B. Assayag, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 95, 257 (2004).
14. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, and E. F. Crabbe, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
15. D. C. Ralph, C. T. Black, and M. Tinkham, Phys. Rev. Lett. 78, 4087 (1997).
16. J. Shirakashi, K. Matsumoto, N. Miura, and M. Konagi, Appl. Phys. Lett. 72, 1893 (1998).
17. Y. Toda, O. Moriwaki, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Phys. Rev. Lett. 82, 4224 (1999).
18. S. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung, and S. Oda, J. Appl. Phys. 94, 7261 (2003).
19. S. J. Lee, Y. S. Shim, H. Y. Cho, D. Y. Kim, T. W. Kim, and K. L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7180 (2003).
20. S. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung, and S. Oda, J. Appl. Phys. 93, 576 (2003).
21. M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron, and F. Mazon, Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004).
22. J. Y. Quyang, C.-W Chu, C. R. Szmanda, L. P. Ma, and Y. Yang, Nat. Mater. 3, 918 (2004).
23. J. H. Kim, J. Y. Jin, J. H. Jung, I. Lee, T. W. Kim, S. K. Lim, C. S. Yoon, and Y.-H. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 032904 (2005).
24. Y.-H. Kim, G. F. Walker, J. Kim, and J. Park, J. Adhes. Sci. Technol. 1, 331 (1987).
25. Y. Chung, H. P. Park, H. J. Jeon, C. S. Yoon, S. K. Kim, and Y.-H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, L9 (2003).