Effects of the high-temperature-annealed self-buffer layer on the improved properties of ZnO epilayers grown by helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy on a-plane sapphire substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 7, 2007, Pages

  Koyama, T ^a   Fouda, A N ^a   Shibata, N ^a   Chichibu, S F ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; BUFFER LAYERS; EXCITONS; NANOCRYSTALLINE MATERIALS; SUBSTRATES; ZINC OXIDE;

HELICON WAVE EXCITED PLASMAS; HETEROEPITAXIAL FILMS; HIGH TEMPERATURE ANNEALED SELF BUFFER LAYER; SAPPHIRE SUBSTRATES;

SPUTTERING;

EID: 35348873754     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2786090     Document Type: Article

References (22)

1. A. Tsukazaki, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1284 4, 42 (2005); A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
2. A. Tsukazaki, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1284 4, 42 (2005); A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
3. S. F. Chichibu, Semicond. Sci. Technol. 20, S67 (2005).
4. S. F. Chichibu, T. Onuma, M. Kubota, A. Uedono, T. Sota, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 99, 093505 (2006).
5. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
6. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999).
7. A. Tsukazaki, Appl. Phys. Lett. 83, 2784 (2003).
8. K. Yamaya, Y. Yamaki, H. Nakanishi, and S. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 72, 235 (1998).
9. S. F. Chichibu, T. Yoshida, T. Onuma, and H. Nakanishi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1426238 91, 874 (2002); T. Koyama, T. Onuma, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1616650 83, 2973 (2003); T. Koyama, T. Ohmori, N. Shibata, T. Onuma, and S. F. Chichibu, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2220 (2004).
10. S. F. Chichibu, T. Yoshida, T. Onuma, and H. Nakanishi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1426238 91, 874 (2002); T. Koyama, T. Onuma, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1616650 83, 2973 (2003); T. Koyama, T. Ohmori, N. Shibata, T. Onuma, and S. F. Chichibu, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2220 (2004).
11. S. F. Chichibu, T. Yoshida, T. Onuma, and H. Nakanishi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1426238 91, 874 (2002); T. Koyama, T. Onuma, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1616650 83, 2973 (2003); T. Koyama, T. Ohmori, N. Shibata, T. Onuma, and S. F. Chichibu, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2220 (2004).
12. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1311603 77, 1801 (2000); P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, J. Cryst. Growth 227/228, 911 (2001).
13. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1311603 77, 1801 (2000); P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, J. Cryst. Growth 227/228, 911 (2001).
14. S. T. Tan, X. W. Sun, X. H. Zhang, S. J. Chua, B. J. Chen, and C. C. Teo, J. Appl. Phys. 100, 033502 (2006).
15. P. Wynblatt and N. A. Gjostein, Acta Metall. 24, 1165 (1976).
16. C. G. Dunn and E. F. Koch, Acta Metall. 5, 548 (1957).
17. V. Lebedev, J. Appl. Phys. 101, 054906 (2007).
18. A. Bourret, C. Adelmann, B. Daudin, J.-L. Rouviere, G. Feuillet, and G. Mula, Phys. Rev. B 63, 245307 (2001).
19. V. Lebedev, J. Appl. Phys. 100, 094902 (2006).
20. C.-H. Choi and S.-H. Kim, J. Cryst. Growth 283, 170 (2005).
21. S. F. Chichibu, T. Sota, G. Cantwell, D. B. Eason, and C. W. Litton, J. Appl. Phys. 93, 756 (2003).
22. M. Strassburg, Phys. Status Solidi B 241, 607 (2004).