Intensity dependence and transient dynamics of donor-acceptor pair recombination in ZnO thin films grown on (001) silicon

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 14, 2003, Pages 2290-2292

  Guo, Bing ^a,b   Qiu, Z R ^b   Wong, K S ^b  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRON TRAPS; EXCITONS; FILM GROWTH; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING SILICON; ZINC OXIDE;

EXCITATION INTENSITY;

THIN FILMS;

EID: 0037425195     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1566482     Document Type: Article

References (28)

1. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
2. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997); Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
3. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997); Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
4. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
5. P. Sharma, A. Mansingh, and K. Sreenivas, Appl. Phys. Lett. 80, 553 (2002).
6. X. L. Xu, S. P. Lau, J. S. Chen, G. Y. Chen, and B. K. Tay, J. Cryst. Growth 223, 201 (2001); K. Ogata, S.-W Kim, Sz. Fujita, and Sg. Fujita, J. Cryst. Growth 240, 112 (2001).
7. X. L. Xu, S. P. Lau, J. S. Chen, G. Y. Chen, and B. K. Tay, J. Cryst. Growth 223, 201 (2001); K. Ogata, S.-W Kim, Sz. Fujita, and Sg. Fujita, J. Cryst. Growth 240, 112 (2001).
8. S. H. Bae, S. Y. Lee, H. Y. Kim, and S. Im, Opt. Mater. 17, 327 (2001).
9. Z. X. Fu, B. X. Lin, and J. Zu, Thin Solid Films 402, 302 (2002).
10. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tüzemen, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
11. A. B. M. Almamun Ashrafi, A. Ueta, A. Avramescu, H. Kumano, I. Suemune, Y. W. Ok, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 550 (2000); S. H. Bae, S. Y. Lee, H. Y. Kim, and S. Im, Appl. Surf. Sci. 168, 332 (2000).
12. A. B. M. Almamun Ashrafi, A. Ueta, A. Avramescu, H. Kumano, I. Suemune, Y. W. Ok, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 550 (2000); S. H. Bae, S. Y. Lee, H. Y. Kim, and S. Im, Appl. Surf. Sci. 168, 332 (2000).
13. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996); S. A. Studenikin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 84, 2287 (1998).
14. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996); S. A. Studenikin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 84, 2287 (1998).
15. X. Q. Wang, S. R. Yang, J. Z. Wang, M. T. Li, X. Y. Jiang, G. T. Du, X. Liu, and R. P. H. Chang, J. Cryst. Growth 226, 123 (2001).
16. T. Schmidt, K. Lischka, and W. Zulehner, Phys. Rev. B 45, 8989 (1992).
17. C. Kligshirn, Phys. Status Solidi B 71, 547 (1975).
18. B. Hu, A. Yin, G. Karczewski, H. Luo, S. W. Short, N. Samarth, M. Dobrowolska, and J. F. Furdyna, J. Appl. Phys. 74, 4153 (1993).
19. R. Singh, R. J. Molnar, M. S. Ünlü, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 64, 336 (1994).
20. P. W. Yu, J. Appl. Phys. 48, 5043 (1977); H. P. Gislason, B. H. Yang, and M. Linnarsson, Phys. Rev. B 47, 9418 (1993).
21. P. W. Yu, J. Appl. Phys. 48, 5043 (1977); H. P. Gislason, B. H. Yang, and M. Linnarsson, Phys. Rev. B 47, 9418 (1993).
22. P. Bäume, J. Gutowski, D. Wiesmann, R. Heitz, A. Hoffmann, E. Kurtz, D. Hommel, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. 67, 1914 (1995).
23. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1971), p. 149.
24. P. Avouris and T. N. Morgan, J. Chem. Phys. 74, 4347 (1981).
25. After thermal annealing in air, x-ray photoemission measurements showed a change in the atom ratio O:Zn from 0.93:1 to 1.04:1, while the resistivity was found to vary from 6.68 to 125.4 in ωcm by four-point probing.
26. W. Göpel, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1229 (1979).
27. J. Chen and T. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L203 (2002).
28. H. J. Egelhaaf and D. Oelkrug, J. Cryst. Growth 161, 190 (1996).