Room temperature defect related electroluminescence from ZnO homojunctions grown by ultrasonic spray pyrolysis

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 5, 2006, Pages

  Du, G T ^a   Liu, W F ^a   Bian, J M ^a   Hu, L Z ^a   Liang, H W ^a   Wang, X S ^a   Liu, A M ^a   Yang, T P ^b  

^a DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b JILIN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; ELECTROLUMINESCENCE; PYROLYSIS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SINGLE CRYSTALS; THRESHOLD VOLTAGE; ULTRASONIC APPLICATIONS; ZINC ALLOYS;

CURRENT INJECTION; ELECTROLUMINESCENCE EMISSIONS; HOMOJUNCTIONS; ULTRASONIC SPRAY PYROLYSIS;

ZINC OXIDE;

EID: 33748486928     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2245217     Document Type: Article

References (21)

1. R. F. Service, Science 276, 895 (1997).
2. T. Makino, C. H. Chia, T. T. Nguen, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 77, 1632 (2000).
3. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
4. A. E. Tsurkan, N. D. Fedotova, L. V. Kicherman, and P. G. Pas'ko, Semiconductors 6, 1183 (1975).
5. I. T. Drapak, Semiconductors 2, 624 (1968).
6. H. Hosono, H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita, and M. Hirano, J. Cryst. Growth 237-239, 496 (2001).
7. Q. X. Yu, B. Xu, Q. H. Wu, Y. Liao, G. Z. Wang, R. C. Fang, H. Y. Lee, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 4713 (2003).
8. A. Osinsky, J. W. Dong, M. Z. Kauser, B. Hertog, A. M. Dabiran, P. P. Chow, S. J. Pearton, O. Lopatink, and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett. 85, 4272 (2004).
9. Y. I. Alivov, E. V. Kalinina, A. E. Cherenkov, D. C. Look, B. M. Ataev, A. K. Omaev, M. V. Chukichev, and D. M. Bagnall, Appl. Phys. Lett. 83, 4719 (2003).
10. A. Tsukazaki, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
11. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
12. D. C. Look, B. Claflin, Ya. I. Alivov, and S. J. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2203 (2004).
13. D. C. Look, Semicond. Sci. Technol. 20, S55 (2005).
14. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
15. J. M. Bian, X. M. Li, C. Y. Zhang, W. D. Yu, and X. D. Gao, Appl. Phys. Lett. 84, 3783 (2004).
16. J. M. Bian, X. M. Li, C. Y. Zhang, L. D. Chen, and Q. Yao, Appl. Phys. Lett. 85, 4070 (2004).
17. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segava, Solid State Commun. 103, 458 (1997).
18. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 73, 1038 (1998).
19. Y. Sun, J. B. Ketterson, and G. K. L. Wong, Appl. Phys. Lett. 77, 2322 (2000).
20. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 221910 (2005).
21. Y. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 83, 2943 (2003).