Radio-frequency magnetron sputtering and wet thermal oxidation of ZnO thin film

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 4, 2007, Pages

  Liu, H F ^a   Chua, S J ^a   Hu, G X ^b   Gong, H ^b   Xiang, N ^b  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AIR; ANNEALING; FILM GROWTH; MAGNETRON SPUTTERING; NITROGEN; OXYGEN; OXYGEN VACANCIES; PHOTOLUMINESCENCE; X RAY DIFFRACTION; ZINC OXIDE;

GAAS(001) SUBSTRATE; ORANGE EMISSIONS; OXYGEN INTERSTITIALS; RADIO-FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING TECHNIQUE; WET THERMAL OXIDATION;

THIN FILMS;

EID: 34548426135     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2773637     Document Type: Article

References (33)

1. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. -J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1992666 98, 041301 (2005).
2. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1714985 22, 932 (2004).
3. S. Bethke, H. Pan, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.99030 52, 138 (1988).
4. J. Y. Bae, J. Yoo, and G. -C. Yi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2364463 89, 173114 (2006).
5. A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Sakurai, Y. Yoshida, H. Koinuma, D. Yu, Z. K. Tung, G. K. L. Wang, and Y. Segawa, Mater. Sci. Eng., B 54, 24 (1998).
6. A. Setiawan, Z. Vashaei, M. W. Cho, T. Yao, H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, I. Yonenaga, and H. J. Ko, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1785852 96, 3763 (2004).
7. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, and B. C. Shin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2437122 101, 053106 (2007).
8. E. M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, A. Rahm, H. -C. Semmelhack, K. -H. Han, G. Benndorf, C. Bundesmann, H. Hochmuth, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1578694 82, 3901 (2003).
9. K. -K. Kim, J. -H. Song, H. -J. Jung, W. -K. Choi, S. -J. Park, and J. -H. Song, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.372383 87, 3573 (2000).
10. S. Tüzemen, E. Gür, T. Yldrm, G. Xiongb, and R. T. Williams, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2386926 100, 103513 (2006).
11. P. -H. Hsieh, Y. -C. Chen, C. -M. Wang, Y. -Z. Tsai, and C. -C. Hu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 84, 345 (2006).
12. D. -K. Hwang, M. -S. Oh, J. -H. Lim, C. -G. Kang, and S. -J. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2430937 90, 021106 (2007).
13. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, and P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3031 (2003). 1433-7851
14. L. Wu, Y. Wu, X. Pan, and F. Kong, Opt. Mater. 0925-3467 10.1016/j.optmat.2005.03.007 28, 418 (2006).
15. R. Dingle, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.23.579 23, 579 (1969).
16. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.61.15019 61, 15019 (2000).
17. B. Guo, Z. R. Qiu, and K. S. Wong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1566482 82, 2290 (2003).
18. N. O. Korsunska, L. V. Borkovska, B. M. Bulakh, L. Yu. Khomenkova, V. I. Kushnirenko, and I. V. Markevich, J. Lumin. 102-103, 733 (2003). 0022-2313
19. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1394173 79, 943 (2001).
20. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallent, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116699 68, 403 (1996); K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallent, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.362349 79, 7983 (1996).
21. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallent, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116699 68, 403 (1996); K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallent, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.362349 79, 7983 (1996).
22. F. H. Leiter, H. R. Alves, A. Hofstaetter, D. M. Hoffmann, and B. K. Meyer, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/1521-3951(200107)226:13.0.CO;2-F 226, R4 (2001); F. H. Leiter, H. R. Alves, A. Hofstaetter, D. M. Hoffmann, and B. K. Meyer, Physica B (Amsterdam) 340-342, 201 (2003). 0921-4526
23. F. H. Leiter, H. R. Alves, A. Hofstaetter, D. M. Hoffmann, and B. K. Meyer, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/1521-3951(200107)226:13.0.CO;2-F 226, R4 (2001); F. H. Leiter, H. R. Alves, A. Hofstaetter, D. M. Hoffmann, and B. K. Meyer, Physica B (Amsterdam) 340-342, 201 (2003). 0921-4526
24. L. Spanhel and M. A. Anderson, J. Am. Chem. Soc. 0002-7863 10.1021/ja00008a004 113, 2826 (1991).
25. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1361288 78, 2285 (2001).
26. S. A. Studenikin, N. Golego, and M. Cocivera, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.368295 84, 2287 (1998).
27. A. B. M. A. Ashrafi, I. Suemune, and H. Kumano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.41.2851 41, 2851 (2002).
28. J. Y. Lee, H. S. Kim, J. H. Chang, M. Yang, H. S. Ahn, and S. O. Ryu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, L205 (2005). 0021-4922
29. G. X. Hu, B. Kumar, H. Gao, E. F. Chor, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2178404 88, 101901 (2006).
30. P. Kuppusami, G. Vollweiler, D. Rafaja, and K. Ellmer, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 80, 138 (2005).
31. G. J. Exarhos and S. K. Sharma, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(95)06855-4 270, 27 (1995).
32. H. Hasebe and K. Kikushima, Bull. Chem. Soc. Jpn. 90, 112 (1969).
33. Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. F. Yu, B. K. Tay, X. H. Zhang, and H. H. Hng, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1577819 94, 354 (2003).