Systematical study of reliability issues in plasma-nitrided and thermally nitrided oxides for advanced dual-gate oxide p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 3 A, 2007, Pages 1124-1128

  Lo, Wen Cheng ^a,b   Wu, Shien Yang ^b   Chang, Sun Jay ^b   Chiang, Mu Chi ^b   Lin, Chih Yung ^b   Chao, Tien Sheng ^a   Chang, Chun Yen ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY   (Taiwan)

Author keywords

Core; HCI; I O; NBTI; PNO; TNO

Indexed keywords

DEGRADATION; NITROGEN OXIDES; RELIABILITY;

HOT-CARRIER INJECTION (HCI); P-CHANNEL METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PMOSFET);

MOSFET DEVICES;

EID: 34547923770     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.1124     Document Type: Article

References (24)

1. K. Takasaki, K. Irino, T. Aoyama, Y. Momiyama, T. Nakanishi, Y. Tamura, and T. Ito: Fujitsu Sci. Tech. J. 39 (2003) 40.
2. C. Lin, A. I. Chou, K. Kumar, P. Chowdhury, and J. C. Lee: IEDM Tech. Dig., 1996, p. 331.
3. T. Aoyama, S. Ohkubo, H. Tashiro, Y. Tada, K. Suzuki, and K. Horiuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1244.
4. S. K. H. Fung, H. T. Huang, S. M. Cheng, K. L. Cheng, S. W. Wang, C. C. Wu, C. Y. Lin, S. J. Chang, S. Y. Wu, C. F. Nieh, C. C. Chen, T. L. Lee, Y. Jin, S. C. Chen, L. T. Lin, Y. H. Chiu, H. J. Tao, C. Y. Fu, S. M. Jang, K. F. Yu, C. H. Wang, T. C. Ong, Y. C. See, C. H. Diaz, M. S. Liang, and Y. C. Sun: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2004, p. 92.
5. Z. Luo, A. Steegen, M. Eller, R. Mann, C. Baiocco, P. Nguyen, L. Kim, M. Hoinkis, V. Ku, V. Klee, F. Jamin, P. Wrschka, P. Shafer, W. Lin, S. Fang, A. Ajmera, W. Tan, D. Park, R. Mo, J. Lian, D. Vietzke, C. Coppock, A. Vayshenker, T. Hook, V. Chan, K. Kim, A. Cowley, S. Kim, E. Kaltalioglu, B. Zhang, P. S. Marokkef, Y. Lin, K. Lee, H. Zhu, M. Weybright, R. Rengarajan, J. Ku, T. Schiml, J. Sudijono, I. Yang, and C. Wann: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 661.
6. Y. Nakahara, T. Fukai, M. Togo, S. Koyama, H. Morikuni, T. Matsuda, K. Sakamoto, A. Mineji, S. Fujiwara, Y. Kunimune, M. Nagase, T. Tamura, N. Onoda, S. Miyake, Y. Yama, T. Kudoh, M. Ikeda, Y. Yamagata, T. Yamamoto, and K. Imai: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 281.
7. T. Yamamoto, K. Uwasawa, and T. Mogami: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 921.
8. D. K. Schroder and J. A. Babcock: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1.
9. B. S. Doyle and K. R. Mistry: IEEE Trans. Electron Devices 37 (1990) 1301.
10. R. Woltjer, G. M. Paulzen, H. G. Pomp, H. Lifka, and P. H. Woerlee: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 109.
11. J. F. Zhang and W. Eccleston: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 1269.
12. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, D. L. Kwong, M. Allen, and J. Fulford: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2094.
13. K. Nimizuka, K. Yamaguchi, K. Imai, T. Iizuka, C. T. Liu, R. C. Keller, and T. Horiuch: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2000, p. 92.
14. S. F. Ting, Y. K. Fang, C. H. Chen, C. W. Yang, W. T. Hsieh, J. J. Ho, M. C. Yu, S. M. Jang, C. H. Yu, M. S. Liang, S. Chen, and R. Shih: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 327.
15. S. S. Tan, T. Chen, C. H. Ang, C. M. Lek, W. Lin, J. Zhen, A. See, and L. Chan: Proc. Plasma- and Process-Induced Damage 7th Int. Symp., 2002, p. 146.
16. Y. Mitani: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 117.
17. Y. D. He, M. C. Xu, and C. G. Tan: Solid-State Electron. 49 (2005) 57.
18. A. Kamgar, J. T. Clemems, A. Ghetti, C. T. Liu, and E. J. Lloyd: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 227.
19. P. Heremans, J. Witters, G. Groeseneken, and H. E. Maes: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 1318.
20. S. S. Chung, H. J. Feng, Y. S. Hsieh, A. Liu, W. M. Lin, D. F. Chen, J. H. Ho, K. T. Huang, C. K. Yang, O. Cheng, Y. C. Sheng, D. Y. Wu, W. T. Shiau, S. C. Chien, K. Liao, and S. W. Sun: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 477.
21. S. S. Tan, C. H. Ang, C. M. Lek, T. P. Chen, B. J. Cho, A. See, and L. Chan: Proc. Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 9th Int. Symp., 2002, p. 254.
22. S. Ogawa, M. Shimaya, and N. Shiono: J. Appl. Phys. 77 (1995) 1137.
23. S. Ogawa and N. Shiono: Phys. Rev. B 51 (1995) 4218.
24. R. Moazzami and C. Hu: IEDM Tech. Dig., 1992, p. 139.