Epitaxial growth of inn films by molecular-beam epitaxy using hydrazoic acid (HN3) as an efficient nitrogen source

Journal of Physical Chemistry A

Volumn 111, Issue 29, 2007, Pages 6755-6759

  Chen, J T ^a   Hsiao, C L ^b   Hsu, H C ^b   Wu, C T ^b   Yen, C L ^c   Wei, P C ^d   Chen, L C ^b   Chen, K H ^b,e,f  

^a TATUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^d NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^e INSTITUTE OF ATOMIC AND MOLECULAR SCIENCES   (Taiwan)

^f NONE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN COMPOUNDS; PHOTOLUMINESCENCE; THERMAL EFFECTS; X RAY DIFFRACTION;

HYDRAZOIC ACID; NITROGEN RADICALS; NITROGEN SOURCE;

THIN FILMS;

EID: 34547666963     PISSN: 10895639     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp068949g     Document Type: Article

References (25)

1. Davydov, V. Y.; Klochikhin, A. A.; Seisyan, R. P.; Emtsev, V. V.; Ivanov, S. V.; Bechstedt, F.; Furthmüller, J.; Harima, H.; Murdryi, A. V.; Aderhold, J.; Semchinova, O.; Graul, J. Phys. Status Solidi B 2002, 229, R1.
2. Wu, J.; Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Arger, J, W., III; Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J.; Saito, Y.; Nanishi, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 50, 3967.
3. Nanishi, Y.; Saito, Y.; Yamaguchi, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2549.
4. Tansley, T. L.; Foley, C. P. J. Appl. Phys. 1986, 59, 3241.
5. Mohammad, S. N.; Morkoc, H. Prog. Quantum Electron. 1996, 20, 361.
6. Chin, V. W. L.; Tansley, T. L.; Osotchan, T. J. Appl. Phys. 1994, 75, 7365.
7. Foutz, B. E.; O'leary, S. K.; Shur, M. S.; Eastman, L. F. J. Appl. Phys. 1999, 55, 7727.
8. Shi, S. C.; Chen, G F.; Chattopadhyay, S.; Lan, Z. H.; Chen, K. H.; Chen, L. C. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 781.
9. Tu, L. W.; Hsiao, C. L.; Chi, T. W.; Lo, I.; Hsieh, K. Y. Appl. Phys. Lett. 2003, 52, 1601.
10. Hsiao, C. L.; Tu, L. W.; Chen, M.; Jiang, Z. W.; Fan, N. W.; Tu, Y. J.; Wang, K. R. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1076.
11. Gwo, S.; Wu, C. L.; Shen, C. H.; Chang, W. H.; Hsu, T. M.; Wang, J. S.; Hsu, J. T. Appl. Phys. Lett. 2004, 54, 3765.
12. Hu, M. S.; Wang, W. M.; Chen, T. T.; Hong, L. S.; Chen, C. W.; Chen, C. C.; Chen, Y. F.; Chen, K. H.; Chen, L. C. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 537.
13. Hsiao, C. L.; Tu, L. W.; Chi, T. W.; Seo, H. W.; Chen, Q. Y.; Chu, W. K. J. Vac. Sci. Technol., B 2006, 24, 845.
14. Tang, H.; Webb, J. B. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2373.
15. Chtchekine, D. G.; Fu, L. P.; Gilliland, G. D.; Chen, Y.; Ralph, S. E.; Bajaj, K. K.; Bu, Y.; Lin, M. G.; Bacalzo, F. T.; Stock, S. R. J. Appl. Phys. 1997, 57, 2197.
16. Bu, Y.; Ma, L.; Lin, M. C. J. Vac. Sci. Technol., A 1993, 11, 2931.
17. Oberman, D. B.; Lee, H.; Götz, W. K.; Harris, J. S., Jt. J. Cryst. Growth 1995, 150, 912.
18. Smith, A. R.; Feenstra, R. M.; Greve, D. W.; Shin, M. S.; Skowronski, M.; Neugebauer, J.; Northrup, J. E. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2114.
19. Russell, J. N.; Bermudez, V. M.; Leming, A. Langmuir 1996, 72, 6492.
20. Schenk, H. P. D.; Kipshidze, G. D.; Kaiser, U.; Fissel, A.; Kräußlich, J.; Schulze, J.; Richter, W. J. Cryst. Growth 1999, 200, 45.
21. Baillargeon, J. N.; Cheng, K. Y.; Jackson, S. L.; Stillman, G. E. J. Appl. Phys. 1991, 69, 8025.
22. Davis, E. A.; Cox, S. F. J.; Lichti, R. L.; Van de Walle, C. G. Appl. Phys. Lett. 2003, 52, 592.
23. Cullity, B. D.; Stock, S. R. Elements of X-ray Diffraction, 3rd ed.; Prentice Hall: Upper Saddle River, NJ, 2001; Chapter 17, p 524.
24. Arnaudov, B.; Paskova, T.; Paskov, P.P.; Magnusson, B.; Valcheva, E.; Monemar, B.; Lu, H.; Schaff W. J.; Amano, H.; Akasaki, I. Phys. Rev. B 2004, 69, 115216.
25. Fu, S. P.; Chen, Y. F.; Tan, K. W. Solid State Commun. 2006, 137, 203.