Al/Ti contacts to Sb-doped p -type ZnO

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 2, 2007, Pages

  Mandalapu, L J ^a   Xiu, F X ^a   Yang, Z ^a   Liu, J L ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; ANNEALING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOCONDUCTIVITY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON; TITANIUM; ZINC OXIDE;

OHMIC CONDUCTION; SCHOTTKY CONTACTS; UV DETECTION;

METALLIC FILMS;

EID: 34547593029     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2759874     Document Type: Article

References (21)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 10.1016/S0921-5107(00)00604-8 80, 383 (2001).
2. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, and Y. W. Heo, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1714985 22, 932 (2004).
3. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1992666 98, 041301 (2005).
4. Y. I. Alivov, J. E. V. Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1615308 83, 2943 (2003).
5. D. Wang, Y. C. Liu, R. Mu, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/16/25/021 16, 4635 (2004).
6. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1940736 86, 222101 (2005).
7. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1284 4, 42 (2005).
8. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126599 76, 3257 (2000).
9. Y. R. Ryu, W. J. Kim, and H. W. White, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(00)00731-4 219, 419 (2000).
10. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200304271 241, 624 (2004).
11. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2146208 87, 252102 (2005).
12. L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2186516 88, 112108 (2006).
13. L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2178470 88, 092103 (2006).
14. S. Kim, B. S. Kang, F. Ren, Y. W. Heo, K. Ip, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1669082 84, 1904 (2004).
15. M. Kurimoto, A. B. M. A. Ashrafi, M. Ebihara, K. Uesugi, H. Kumano, and I. Suemune, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200304286 241, 635 (2004).
16. J. H. Lim, K. K. Kim, D. K. Hwang, H. S. Kim, J. Y. Oh, and S. J. Park, and J. Electrochem. Soc. 152, G179 (2005).
17. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(01)00830-2 225, 110 (2001).
18. H. S. Yang, Y. Li, D. P. Norton, K. Ip, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1925309 86, 192103 (2005).
19. K. Ip, G. T. Thaler, H. Yang, S. Y. Han, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro. 2005.10.059 287, 149 (2006).
20. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
21. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.92.155504 92, 155504 (2004).