Contacts to p-type ZnMgO

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 11, 2004, Pages 1904-1906

  Kim, Suku ^a   Kang, B S ^a   Ren, F ^a   Heo, Y W ^a   Ip, K ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT MORPHOLOGY; SCHOTTKY CONTACTS;

ANNEALING; BAND STRUCTURE; DEGRADATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; GOLD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NICKEL; POINT DEFECTS; THERMODYNAMIC STABILITY; TITANIUM; ZINC COMPOUNDS;

OHMIC CONTACTS;

EID: 1842738119     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1669082     Document Type: Article

References (30)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B B80, 383 (2001).
2. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 74, 507 (1999).
3. S. O. Kucheyev, J. E. Bradley, J. S. Williams, C. Jagadish, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
4. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 74, 507 (1999).
5. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron, 46, 1631 (2002).
6. P. F. Garcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
7. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
8. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee, and S. Im, Mater. Sci. Eng., B B71, 301 (2000).
9. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, Huijuan Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504/1-4 (2002).
10. C. G. Van de Walle, Phys. Status Solidi B 229, 221 (2002).
11. S. F. J. Cox, E. A. Davis, P. J. C. King, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, S. Piroto Duarte, N. A. De Campos, and R. L. Liohti, J. Phys.: Condens. Matter 13, 9001 (2001).
12. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
13. G. F. Neumark, in Widegap II-VI Compounds for Opto-Electronics Applications, edited by H. E. Ruda (Elsevier, London, 1992), p. 281.
14. D. B. Laks, C. G. Van de Walle, G. F. Neumark, and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 63, 1375 (1993).
15. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
16. C. H. Park, S. B. Zhang, and Wei Su-Huai, Phys. Rev. B 66, 073202/1-3 (2002).
17. N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, D. B. Eason, D. C. Reynolds, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1334 (2002).
18. X.-L. Quo, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 223, 135 (2001).
19. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
20. K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Leu. 83, 63 (2003).
21. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
22. C. A. Mead, Phys. Lett. 18, 218 (1965).
23. R. C. Neville and C. A. Mead, J. Appl. Phys. 41, 3795 (1970).
24. J. C. Simpson and F. Cordaro, J. Appl. Phys. 63, 1781 (1988).
25. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2002).
26. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
27. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, and H. A. van Laarhoven, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001).
28. B. J. Coppa, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 82, 400 (2003).
29. Y. Liu, C. R. Gorla, S. Liang, N. Emanetoglu, Y. Lu, H. Shen, and M. Wraback, J. Electron. Mater. 29, 69 (2000).
30. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. A. Kozhukova, V. I. Vdovin, K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1575 (2003).