P-type behavior from Sb-doped ZnO heterojunction photodiodes

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 11, 2006, Pages

  Mandalapu, L J ^a   Xiu, F X ^a   Yang, Z ^a   Zhao, D T ^a   Liu, J L ^a  

^a University of California Riverside   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANTIMONY (SB) DOPING; CAPACITANCE-VOLTAGE (C-V) MEASUREMENTS; UV REGION;

CAPACITANCE; DOPING (ADDITIVES); HETEROJUNCTIONS; OPTOELECTRONIC DEVICES; SCHOTTKY BARRIER DIODES; ZINC OXIDE;

PHOTODIODES;

EID: 33645165558     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2186516     Document Type: Article

References (18)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B B80, 383 (2001).
2. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, and Y. W. Heo, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 932 (2004).
3. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Rizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
4. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
5. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
6. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
7. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
8. D. Wang, Y. C. Liu, R. Mu, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys.: Condens. Matter 16, 4635 (2004).
9. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 222101 (2005).
10. F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
11. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
12. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
13. Y. R. Ryu, W. J. Kim, and H. W. White, J. Cryst. Growth 219, 419 (2000).
14. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
15. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 87, 152101 (2005).
16. R. L. Anderson, Solid-State Electron. 5, 341 (1962).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
18. J. A. Aranovich, D. G. Golmayo, A. L. Fahrenbruch, and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 51, 4260 (1980).