Strain and in-plane orientation effects on the ferroelectricity of (111)-oriented tetragonal Pb (Zr0.35 Ti0.65) O3 thin films prepared by metal organic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 22, 2007, Pages

  Kuwabara, Hiroki ^a   Menou, Nicolas ^a   Funakubo, Hiroshi ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; CRYSTALLINE MATERIALS; ELECTRIC PROPERTIES; FERROELECTRICITY; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

FERROELECTRIC CAPACITORS; LEAD ZIRCONATE TITANATE (PZT);

THIN FILMS;

EID: 34249903857     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2743748     Document Type: Article

References (18)

1. J. S. Cross, M. Fujiki, M. Tsukada, Y. Kotaka, and Y. Goto, Integr. Ferroelectr. 21, 263 (1998).
2. J. S. Cross, M. Fujiki, M. Tsukada, K. Matsuura, S. Otani, M. Tomotami, Y. Kataoka, Y. Kotaka, and Y. Goto, Integr. Ferroelectr. 25, 265 (1999).
3. T. Morimoto, O. Hidaka, K. Yamakawa, O. Arisumi, H. Kanaya, T. Iwamoto, Y. Kumura, I. Kunishama, and S.-I. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2110 (2000).
4. N. Inoue, T. Takeuchi, and Y. Hayashi, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1572 (2002).
5. S. Lee and K. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 3189 (2006).
6. J. E. Heo, B. J. Bae, D. C. Yoo, S. D. Nam, J. E. Lim, D. H. Im, S. H. Joo, Y. J. Jung, S. H. Choi, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, and J. T. Moon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 3198 (2006).
7. S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, and J. A. Rodriguez, J. Appl. Phys. 100, 064103 (2006).
8. S.-H. Kim, D. Y. Park, H. J. Woo, D. S. Lee, J. Ha, C. S. Hwang, I. B. Shim, and A. I. Kingon, Thin Solid Films 416, 264 (2002).
9. M. Tsukuda, M. Mushiga, and J. S. Cross, J. Ceram. Soc. Jpn. 112, 311 (2004).
10. Y. K. Kim, H. Morioka, S. Okamoto, T. Watanabe, S. Yokoyama, A. Sumi, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 87, 182907 (2005).
11. Y. K. Kim, H. Morioka, S. Okamoto, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 78, 223 (2006).
12. H. Kuwabara, A. Sumi, S. Okamoto, S. Yokoyama, and H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 75, 395 (2005).
13. S. Okamoto, T. Watanabe, K. Akiyama, S. Kaneko, H. Funakubo, and S. Horita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 5102 (2005).
14. H. Nakaki, H. Uchida, S. Koda, S. Okamoto, H. Funakubo, K. Nishida, T. Katoda, and K. Saito, Appl. Phys. Lett. 87, 182906 (2005).
15. H. Morioka, S. Yokoyama, T. Oikawa, H. Funakubo, and K. Saito, Appl. Phys. Lett. 85, 3516 (2004).
16. Y. W. So, D. J. Kim, T. W. Noh, J.-G. Yoon, and T. K. Song, Appl. Phys. Lett. 86, 092905 (2005).
17. A. Gruverman, B. J. Rodriguez, C. Dehoff, J. D. Waldrep, A. I. Kingon, R. J. Nemanich, and J. S. Cross, Appl. Phys. Lett. 87, 082902 (2005).
18. K. Saito, T. Kurosawa, T. Akai, T. Oikawa, and H. Funakubo, J. Appl. Phys. 93, 545 (2003).