Correlation between luminescence and structural evolution of Si-rich silicon oxide film annealed at different temperatures

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 10, 2007, Pages

  Wang, Minghua ^a   Yang, Deren ^a   Li, Dongsheng ^a   Yuan, Zhizhong ^a   Que, Duanlin ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CORRELATION METHODS; ELECTRON BEAMS; LIGHT EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON COMPOUNDS; THERMAL EFFECTS;

ELECTRON BEAM EVAPORATION; SILICON OXIDE FILMS; SURFACE STATES;

OXIDE FILMS;

EID: 34249889061     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2732544     Document Type: Article

References (35)

1. M. E. Castagna, S. Coffa, M. Monaco, L. Caristia, A. Messina, R. Mangano, and C. Bongiornoc, Physica E (Amsterdam) 16, 547 (2003).
2. R. J. Walters, G. I. Bourianoff, and H. A. Atwater, Nat. Mater. 4, 143 (2005).
3. S. Guha, M. D. Pace, D. N. Dunn, and I. L. Singer, Appl. Phys. Lett. 70, 1207 (1997).
4. L. G. Jacobsohn, A. R. Zanatta, and M. Nastasi, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1669 (2004).
5. F. Iacona, G. Franzo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
6. X. Y. Chen, Y. F. Lu, L. J. Tang, Y. H. Wu, B. J. Cho, X. J. Xu, J. R. Dong, and W. D. Song, J. Appl. Phys. 97, 014913 (2005).
7. N.-M. Park, C.-J. Choi, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
8. L.-Y. Chen, W.-H. Chen, and F. C.-N. Hong, Appl. Phys. Lett. 86, 193506 (2005).
9. L. B. Ma, R. Song, Y. M. Miao, C. R. Li, Y. Q. Wang, and Z. X. Cao, Appl. Phys. Lett. 88, 093102 (2006).
10. Y. He, L. Bi, J. Y. Feng, and Q. L. Wu, J. Cryst. Growth 280, 352 (2005).
11. L. F. Bian, C. G. Zhang, W. D. Chen, C. C. Hsu, Y. H. Qu, and D. S. Jiang, J. Appl. Phys. 99, 094302 (2006).
12. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Bläsing, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
13. Z. T. Kang, B. Arnold, C. J. Summers, and B. K. Wagner, Nanotechnology 17, 4477 (2006).
14. H. Rinnert, M. Vergnat, G. Marchal, and A. Burneau, Appl. Phys. Lett. 72, 3157 (1998).
15. X. Y. Chen, Y. F. Lu, Y. H. Wu, B. J. Cho, W. D. Song, and D. Y. Dai, J. Appl. Phys. 96, 3180 (2004).
16. J. H. Kim, K. A. Jeon, and S. Y. Lee, J. Appl. Phys. 98, 014303 (2005).
17. G.-R. Lin and C.-J. Lin, J. Appl. Phys. 95, 8484 (2004).
18. E.-C. Cho, M. A. Green, J. Xia, R. Corkish, P. Reece, and M. Gal, Appl. Phys. Lett. 84, 2286 (2004).
19. J. S. Biteen, N. S. Lewis, H. A. Atwater, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 84, 5389 (2004).
20. G. Santana, Appl. Phys. Lett. 88, 041916 (2006).
21. A. Puzder, A. J. Williamson, J. C. Grossman, and G. Galli, J. Chem. Phys. 117, 6721 (2002).
22. N. Daldosso, Phys. Rev. B 68, 085327 (2003).
23. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
24. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
25. H. R. Philipp, J. Non-Cryst. Solids 8-10, 627 (1972).
26. F. Iacona, S. Lombardo, and S. U. Campisano, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2693 (1996).
27. P. Cova, S. Poulin, O. Grenier, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 97, 073518 (2005).
28. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
29. L. Khriachtchev, M. Räsänen, S. Novikov, and L. Pavesi, Appl. Phys. Lett. 85, 1511 (2004).
30. L. X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 81, 4248 (2002).
31. D. Tsoukalas, C. Tsamis, and P. Normand, J. Appl. Phys. 89, 7809 (2001).
32. H. Bracht, R. Staskunaite, E. E. Haller, P. Fielitz, G. Borchardt, and D. Grambole, J. Appl. Phys. 97, 046107 (2005).
33. J. Zi, H. Büscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, and X. Xie, Appl. Phys. Lett. 69, 200 (1996).
34. M. Molinari, H. Rinnert, and M. Vergnat, Appl. Phys. Lett. 82, 3877 (2003).
35. G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Phys. Rev. Lett. 76, 2961 (1996).