Polarity control of ZnO films on (0001) Al2 O3 by Cr-compound intermediate layers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 20, 2007, Pages

  Park, J S ^a   Hong, S K ^b   Minegishi, T ^a   Park, S H ^a   Im, I H ^a   Hanada, T ^a   Cho, M W ^a,d   Yao, T ^a,d   Lee, J W ^c   Lee, J Y ^c  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b Chungnam National University   (South Korea)

^c Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^d TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHROMIUM COMPOUNDS; FILM GROWTH; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMA APPLICATIONS; ZINC OXIDE;

CRYSTAL POLARITY; INTERMEDIATE LAYERS; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; POLARITY CONTROL;

THIN FILMS;

EID: 34249011857     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2740190     Document Type: Article

References (24)

1. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, S. Koyama, M. Y. Shen, T. Goto, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
2. H. Matsui, H. Saeki, T. Kawai, A. Sasaki, M. Yoshimoto, M. Tsubaki, and H. Tabata, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2454 (2005).
3. S. A. Chevtchenko, J. C. Moore, U. Ozgur, X. Gu, A. A. Baski, H. Morkoc, B. Nemeth, and J. E. Nause, Appl. Phys. Lett. 89, 182111 (2006).
4. S. K. Hong, T. Hanada, H. J. Ko, Y. Chen, D. Imai, K. Araki, M. Shinohara, K. Saitoh, M. Terauchi, and T. Yao, Phys. Rev. B 65, 115331 (2002).
5. M. Losurdo and M. M. Giangregorio, Appl. Phys. Lett. 86, 091901 (2005).
6. A. J. Ptak, Th. H. Myers, L. T. Romano, C. G. Van de Walle, and J. E. Northup, Appl. Phys. Lett. 78, 285 (2001).
7. K. Nakahara U.S. Patent No. 7,002,179 (4 February 2004).
8. J. Cai and F. A. Ponce, J. Appl. Phys. 91, 9856 (2002).
9. H. Tampo, H. Shibat, K. Matsubara, A. Yamada, P. Fons, S. Niki, M. Yamagata, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 89, 132113 (2006).
10. H. Kato, K. Miyamoto, M. Sano, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 84, 4562 (2004).
11. Y. Wang, X. L. Du, Z. X. Mei, Z. Q. Zeng, M. J. Ying, H. T. Yuan, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 051901 (2005).
12. S. K. Hong, T. Hananda, Y. Chen, H. J. Ko, T. Yao, D. Imai, K. Araki, and M. Shinohara, Appl. Surf. Sci. 190, 491 (2002).
13. H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 32, 1232 (1961).
14. A. N. Mariano and R. E. Hanneman, J. Appl. Phys. 34, 384 (1963).
15. D. Zhuang and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng., R. 48, 1 (2005).
16. J. L. Rouviere, J. L. Weyher, M. S. Eggebert, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 73, 668 (1998).
17. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
18. X. Wang, Y. Tomita, O. H. Roh, M. Ohsugi, S. B. Che, T. Ishtani, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 86, 011921 (2005).
19. H. Tampo, P. Fons, A. Yamada, K. K. Kim, H. Shibata, K. Matsubara, S. Niki, H. Yoshikawa, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 87, 141904 (2005).
20. T. Minegishi, J. H. Yoo, H. Suzuki, Z. Vashaei, K. Inaba, K. S. Shim, and T. Yao, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1286 (2005).
21. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 265, 375 (2004).
22. X. G. Wang and J. R. Smith, Phys. Rev. B 68, 201402 (2003).
23. Z. X. Mei, Y. Wang, X. L. Du, M. J. Ying, Z. Q. Zeng, H. Zheng, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, J. Appl. Phys. 96, 7108 (2004).
24. P. Michel and Ch. Jardin, Surf. Sci. 36, 478 (1973).