Growth and evaluation of GaN with SiN interlayer by MOCVD

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn , Issue 7, 2003, Pages 2077-2081

  Naoi, Yoshiki ^a   Tada, Toshihiko ^a   Li, Hongdong ^a   Jiang, Nan ^a   Sakai, Shiro ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAN EPILAYERS; GAN FILM; GAN LAYERS; HIGH TEMPERATURE; METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITIONS; SI SOURCES; SIN INTERLAYERS; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

GALLIUM NITRIDE; SILICON;

SILICON NITRIDE;

EID: 34248506986     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303442     Document Type: Conference Paper

References (20)

1. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 711 (2001).
2. T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, Y. Izumi, H. D. Li, J. Bai, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 235, 177 (2002).
3. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998).
4. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 78, 399 (2001).
5. N. Otsuka, A. Tsujimura, Y. Hasegawa, G. Sugahara, M. Kume, and Y. Ban, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L445 (2000).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozai, H. Umemoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L226 (1999).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000).
8. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
9. O. Nam, M. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
10. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997)
11. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, T. G. Kevin, J. L. P. Rajagopal, E. Carlson, W. M. Ashmawi, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 (G3), 38 (1999).
12. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 1705 (1991).
13. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
14. T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh, and H. Tadano, Appl. Phys. Lett. 72, 704 (1998).
15. M. Tsukihara, Y. Naoi, S. Sakai, and H. D. Li, Appl. Phys. Lett. 82, 919 (2003).
16. P. Vennéguès, B. Beaumont, S. Haffouz, M. Vaille, and P. Gibart, J. Cryst. Growth 187, 167 (1998).
17. M. Tsukihara, Y. Naoi, H. D. Li, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 1514 (2003).
18. E. D. Bourret-Courchesne, S. Kellermann, K. M. Yu, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, S. J. C. Irvine, and A. Stafford, Appl. Phys. Lett. 77, 2259 (2000).
19. S. Tanaka, M. Takeuchi, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L831 (2000).
20. J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).