Effect of neutral beam etching of p-GaN on the GaN device characteristics

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 25, Issue 2, 2007, Pages 295-298

  Park, B J ^a   Min, K S ^a   Lee, H C ^a   Bae, J W ^a   Kim, D W ^a   Yeom, G Y ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BEAM PLASMA INTERACTIONS; ELECTRIC POTENTIAL; ETCHING; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; LIGHT EMITTING DIODES; MICROLENSES; PHOTONIC CRYSTALS;

NEUTRAL BEAM ETCHING; OPTICAL EMISSION INTENSITY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 34047128710     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2435393     Document Type: Article

References (21)

1. M. Asif Khan, J. W. Yang, and G. Strain, Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
2. E. F. Schubert, S. W. Downey, C. Pinzone, and A. B. Emerson, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 60, 525 (1995).
3. T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004).
4. J. J. Wierer, M. R. Krames, J. E. Epler, N. F. Gardner, M. G. Craford, J. R. Wendt, J. A. Simmons, and M. M. Sigalas, Appl. Phys. Lett. 84, 3885 (2004).
5. M. Boroditsky, T. F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. Bhat, and E. Yablonovitch, Appl. Phys. Lett. 75, 1036 (1999).
6. D. H. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 87, 203508 (2005).
7. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 93, 9383 (2003).
8. X. A. Cao et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2569 (1999).
9. J. M. Lee, K. S. Lee, and S. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 479 (2004).
10. D. W. Kim, Y. J. Sung, J. W. Park, and G. Y. Yeom, Thin Solid Films 398, 87 (2001).
11. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 93, 9383 (2003).
12. D. H. Lee, B. J. Park, and G. Y. Yeom, J. Korean Phys. Soc. 46, 867 (2005).
13. S. Samukawa and T. Mukai, Thin Solid Films 374, 235 (2000).
14. D. H. Lee, J. W. Bae, S. D. Park, and G. Y. Yeom, Thin Solid Films 398, 647 (2001).
15. M. J. Chung, D. H. Lee, and G. Y. Yeom, Surf. Coat. Technol. 171, 232 (2003).
16. D. H. Lee, M. J. Chung, H. K. Hwang, and G. Y. Yeom, Mater. Sci. Eng., C 23, 221 (2003).
17. R. Schuch, H. Schone, P. D. Miller, H. F. Krause, P. F. Dittner, S. Datz, and R. E. Olson, Phys. Rev. Lett. 60, 925 (1988).
18. K. J. Choi, H. W. Jang, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 1233 (2003).
19. H. W. Choi, S. J. Chua, A. Raman, J. S. Pan, and A. T. S. Wee, Appl. Phys. Lett. 77, 1795 (2000).
20. J. M. Lee, K. M. Chang, S. J. Park, and H. K. Jang, J. Korean Phys. Soc. 37, 842 (2000).
21. T. N. Oder, J. Shakya, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 1231 (2003).