Aligned horizontal silica nanochannels by oxidative self-sealing of patterned silicon wafers

Chemistry of Materials

Volumn 19, Issue 1, 2007, Pages 3-5

  Chen, Xin ^a   Ji, Ran ^a   Steinhart, Martin ^a   Milenin, Alexey ^a   Nielsch, Kornelius ^a   Gösele, Ulrich ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION; INTERFACES (MATERIALS); SEALING (CLOSING); SILICON WAFERS; THERMOOXIDATION; TRANSPORT PROPERTIES;

NANOCHANNELS; NANOGROOVES; SELF SEALING;

SILICA;

EID: 33846439382     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm062485h     Document Type: Article

References (25)

1. Mijatovic, D.; Eijkel, J. C. T.; Berg, A. Lab Chip 2005, 5, 492-500.
2. Han, J.; Craighead, H. Science 2000, 288, 1026-1029.
3. Bakajin, O.; Duke, T. A. J.; Tegenfeldt, J. O.; Chou, C. F.; Chan, S. S.; Austin, R. H.; Cox, E. C. Anal. Chem. 2001, 73, 6053-6056.
4. Quake, S.; Scherer, A. Science 2000, 290, 1536-1540.
5. Chou, H.; Spence, C.; Scherer, A.; Quake, S. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 1999, 96, 11-13.
6. Kaji, N.; Tezuka, Y.; Takamura, Y.; Ueda, M.; Nishimoto, T.; Nakanishi, H.; Horiike, Y.; Baba Y. Anal. Chem. 2004, 76, 15-22.
7. Shao, P. E.; Kan, A.; Wang, L. P.; Ansari, K.; Bettiol, A. A.; Watt, F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 093515.
8. Guo, L. J.; Cheng, X.; Chou, C. F. Nano Lett. 2004, 4, 69-73.
9. Mao, P.; Han, J. Lab Chip 2005, 5, 837-844.
10. Cao, H.; Yu, Z.; Wang, J.; Tegenfeldt, J. O.; Austin, R. H.; Chen, E.; Wu, W.; Chou, S. Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 174-176.
11. Li, W.; Tegenfeldt, J. O.; Chen, L.; Austin, R. H.; Chou, S. Y.; Kohl, P. A.; Krotine, J.; Sturm, J. C. Nanotechnology 2003, 14, 578-583.
12. Deal, B. E.; Grove, A. S. J. Appl. Phys. 1965, 36, 3770-3778.
13. Kao, D. B.; McVittie, J. P.; Nix, W. D.; Saraswat, K. C. IEEE Trans. Electron Devices 1987, ED-34, 1008-1017.
14. Marcus, R. B.; Sheng, T. T. J. Electrochem. Soc. 1982, 729, 1278-1282.
15. Kao, D. B.; Mcvittie, J. P.; Nix, W. D.; Saraswat, K. C. IEEE Trans. Electron Devices 1988, ED-35, 25-37.
16. Nagase, M.; Fujiwara, A.; Takahashi, Y.; Murase, K.; Kurihara, K. Microelectron. Eng. 1998, 41/42, 527-530.
17. Heidemeyer, H.; Single, C.; Zhou, F.; Prins, F. E.; Kern, D. P.; Plies, E. J. Appl. Phys. 2000, 87, 4580-4585.
18. Uematsu, M.; Kageshima, H.; Shiraishi, K.; Nagase, M.; Horiguchi, S.; Takahashi, Y. Solid-State Electron. 2004, 48, 1073-1078.
19. Spallas, J. P.; Hawryluk, A. M.; Kania, D. R. J. Vac. Sci. Technol., B 1995, 13, 1973-1978.
20. Savas, T. A.; Schatenburg, M. L.; Carter, J. M.; Smith, H. I. J. Vac. Sci. Technol., B 1996, 14, 4167-4170.
21. Petter, K.; Kipp, T.; Heyn, Ch.; Heitmann, D.; Schüller, C. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 592-594.
22. O'Brien, M. J.; Bisong, P.; Ista, L. K.; Rabinovich, E. M.; Garcia, A. L.; Sibbett, S. S.; Lopez, G. P.; Brueck, S. R. J. J. Vac. Sci. Technol., B 2003, 21, 2941-2945.
23. Kendall, D. L. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 195-198.
24. Kendall, D. L. J. Vac. Sci. Technol., A 1990, 8, 3598-3605.
25. Foquet, M.; Korlach, J.; Zipfel, W. R.; Webb, W. W.; Craighead, H. G. Anal. Chem. 2004, 76, 1618-1626.