Germanium incorporation in Hf O2 dielectric on germanium substrate

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 3, 2006, Pages

  Zhang, Qingchun ^a   Wu, Nan ^a   Lai, Doreen Mei Ying ^b   Nikolai, Yakovlev ^b   Bera, L K ^c   Zhu, Chunxiang ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^c INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; DEPOSITION; DIFFUSION; GATES (TRANSISTOR); GERMANIUM; HAFNIUM COMPOUNDS;

ANNEALING TEMPERATURE; DIELECTRIC DEPOSITION METHOD; GERMANIUM INCORPORATION; HF O2 GATE DIELECTRIC;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 32044449370     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2160432     Document Type: Article

References (19)

1. C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre, and K. C. Saraswat, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 437.
2. C. H. Huang, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, C. X. Zhu, B. J. Cho, M.-F. Li, and D. L. Kwong, VLSI Technical Digest, p. 119 (2003).
3. N. Wu, Q. C. Zhang, C. Zhu, D. S. H. Chan, Anyan Du, N. Balasubramanian, M. F. Li, A. Chin, J. Sin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 631 (2004).
4. A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, Z. Lu, W. Bai, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong, and D. A. Antoniadis, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 18.2.1.
5. B. De Jaeger, M. Houssa, A. Satta, S. Kubicek, P. Verheyen, J. Van Steenbergen, J. Croon, B. Kaczer, S. Van Elshocht, A. Delabie, E. Kunnen, E. Sleeckx, I. Teerlinck, R. Lindsay, T. Schram, T. Chiarella, R. Degraeve, T. Conard, J. Poortmans, G. Winderickx, W. Boullart, M. Schaekers, P. W. Mertens, M. Caymax, W. Vandervorst, E. Van Moorhem, S. Biesemans, K. De Meyer, L. Ragnarsson, S. Lee, G. Kota, G. Raskin, P. Mijlemans, J.-L Autran, V. Afanas'ev, A. Stesmans, M. Meuris, and M. Heyns, in Proceedings of ESSDERC, p. 189 (2004).
6. S. Van Elshocht, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, T. Chiarella, S. De Gendt, B. De Jaeger, S. Kubicek, M. Meuris, B. Onsia, O. Richard, I. Teerlinck, J. Van Steenbergen, C. Zhao, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett., 85, 3824 (2004).
7. K. Kita, M. Sasagawa, K. T. Mida, K. Kyuno, and A. Toriumi, SSDM Technical Digest, p. 292 (2003).
8. N. Wu, Q. C. Zhang, C. Zhu, C. C. Yeo, S. J. Wang, D. S. H. Chan, M. F. Li, B. J. Cho, A. Chin, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 84, 3741 (2004).
9. W. K. Choi, V. Ho, V. Ng, Y. W. Ho, S. P. Ng, and W. K. Chin, Appl. Phys. Lett., 86, 143114 (2005).
10. V. Ho, L. W. Teo, W. K. Choi, W. K. Chim, M. S. Tay, D. A. Antoniadis, E. A. Fitzgerald, A. Y. Du, C. H. Tung, R. Liu, and A. T. S. Wee, Appl. Phys. Lett., 83, 3558 (2003).
11. Q. Wan, C. L. Lin, W. L. Liu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett., 82, 4708 (2003).
12. B. Tuck, Introduction to Diffusion in Semiconductors, Stevenage, Peter Peregrinus, U.K. p. 227 (1974).
13. L. Surnev and M. Tikhov, Surf. Sci., 123, 505 (1982).
14. N. A. Tabet, M. A. Salim, and A. L. Al-Oteibi, J. Electron Spectroscopy, 101, 233 (1999).
15. M. Uematsu, H. Kageshima, and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett., 84, 876 (2004).
16. M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, SSDM Technical Digest, p. 226 (2004).
17. H. Shang, K. L. Lee, P. Kozlowski, C. D'Emic, I. Babich, E. Sikorski, M. Ieong, H.-S. P. Wong, K. Guarini, and W. Haensch, IEEE Electron Device Lett., 25, 135 (2004).
18. L. K. Bera, A. Agarwal, and N. Balasubramanian, Electrochem. Solid-State Lett., 6, G52 (2003).
19. Q. C. Zhang, N. Wu, L. K. Bera, and C. X Zhu, SSDM Technical Digest, p. 514 (2005).