Enhanced thermal stability and emission intensity of InAs quantum dots covered by an InGaAsSb strain-reducing layer

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 24, 2006, Pages

  Liu, Wei Sheng ^b   Kuo, David M T ^b   Chyi, Jen Inn ^a   Chen, Wen Yen ^b   Chang, Hsing Szu ^b   Hsu, Tzu Min ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CARRIER CONCENTRATION; LUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; STRAIN RATE; THERMODYNAMIC STABILITY;

CARRIER CONFINEMENT; STRAIN REDUCING LAYER (SRL); THERMAL ACTIVATION ENERGY; THERMAL EMISSION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33845729941     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2405872     Document Type: Article

References (22)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. P. G. Eliseev, H. Li, A. Stintz, G. T. Liu, T. C. Newell, K. J. Malloy, and L. F. Lester, Appl. Phys. Lett. 77, 262 (2000).
3. Z. Mi, P. Bhattacharya, and S. Fathpour, Appl. Phys. Lett. 86, 153109 (2005).
4. O. B. Shchekin, J. Ahn, and D. G. Deppe, Electron. Lett. 38, 712 (2002).
5. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
6. N. T. Yeh, T. E. Nee, J.-I. Chyi, T. M. Hsu, and C. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 76, 1567 (2000).
7. W.-S. Liu and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 97, 024312 (2005).
8. W.-S. Liu, H. Chang, Y.-S. Liu, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 99, 114514 (2006).
9. T.-P. Hsieh, P.-C. Chiu, J.-I. Chyi, N.-T. Yeh, W.-J. Ho, W.-H. Chang, and T.-M. Hsu, Appl. Phys. Lett. 87, 151903 (2005).
10. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Bert, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, I. P. Soshnikov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 75, 2347 (1999).
11. G. Balakrishnan, S. Huang, T. J. Rotter, A. Stintz, L. R. Dawson, K. J. Malloy, H. Xu, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 84, 2058 (2004).
12. M. J. da Silva, A. A. Quivy, S. Martini, T. E. Lamas, E. C. F. da Silva, and J. R. Leite, Appl. Phys. Lett. 82, 2646 (2003).
13. J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 78, 3469 (2001).
14. X. Yang, M. J. Jurkovic, J. B. Heroux, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 178 (1999).
15. H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama, and A. Kasukawa, Electron. Lett. 36, 1379 (2000).
16. Y.-C. Xin, L. G. Vaughn, L. R. Dawson, A. Stintz, Y. Lin, L. F. Lester, and D. L. Huffaker, J. Appl. Phys. 94, 2133 (2003).
17. K. Suzuki, R. A. Hogg, and Y. Arakawa, J. Appl. Phys. 85, 8349 (1999).
18. Yueming Qiu, David Uhl, and Sam Keo, Appl. Phys. Lett. 84, 263 (2004).
19. C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, J. M. Zhou, Y. H. Zhang, T. T. Sheng, and C. H. Tung, Appl. Phys. Lett. 72, 2541 (1998).
20. T. Matsuura, T. Miyamoto, T. Kageyama, M. Ohta, Y. Matsui, T. Furuhata, and F. Koyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L82 (2004).
21. H. Y. Liu, M. J. Steer, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, P. Navaretti, K. M. Groom, M. Hopkinson, and R. A. Hogg, Appl. Phys. Lett. 86, 143108 (2005).
22. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).