Long-wavelength light emission and lasing from InAsGaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 14, 2005, Pages 1-3

  Liu, H Y ^a   Steer, M J ^a   Badcock, T J ^a   Mowbray, D J ^a   Skolnick, M S ^a   Navaretti, P ^a   Groom, K M ^a   Hopkinson, M ^a   Hogg, R A ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRONIC STRUCTURE; GROUND STATE; LIGHT EMISSION; MONOLAYERS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS;

CONVENTIONAL SOLID SOURCES; EXCITATION POWER; GROUND-STATE LASING; STRAIN-REDUCING LAYERS (SRL);

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 17444397408     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1897850     Document Type: Article

References (16)

1. V. M. Ustinov and A. E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol. 15, R41 (2000).
2. H. Y. Liu, M. Hopkinson, C. N. Harrison, M. J. Steer, R. Frith, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 93, 2931 (2003).
3. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
4. H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Hopkinson, C. N. Harrison, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1622443 83, 3716 (2003); H. Y. Liu and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 82, 3644 (2003).
5. H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Hopkinson, C. N. Harrison, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1622443 83, 3716 (2003); H. Y. Liu and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 82, 3644 (2003).
6. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. S. Sizov, Y. M. Shernyakov, I. N. Kaiander, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mirkhirn, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, R. Heitz, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Y. G. Musikhin, and W. Neumann, Phys. Rev. B 62, 16671 (2000).
7. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. A. Semenova, Y. M. Shernyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, and Z. I. Alferov, J. Cryst. Growth 251, 729 (2003).
8. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1776631 85, 704 (2004); H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Gutírrez, K. M. Groom, W. M. Soong, M. Hopkinson, J. P. R. David, R. Beanland, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 96, 1988 (2004).
9. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1776631 85, 704 (2004); H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Gutírrez, K. M. Groom, W. M. Soong, M. Hopkinson, J. P. R. David, R. Beanland, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 96, 1988 (2004).
10. I. R. Sellers, H. Y. Liu, M. Hopkinson, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Appl. Phys. Lett. 83, 4710 (2003).
11. X. Huang, A. Stintz, C. P. Hains, G. T. Liu, J. Cheng, and K. J. Malloy, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 227 (2000).
12. G. Park, O. B. Shchekin, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 230 (2000).
13. K. Akahane, N. Yamamoto, and N. Ohtani, Physica E (Amsterdam) 21, 295 (2004).
14. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K. H. Bachem, and D. Richards, Appl. Phys. Lett. 67, 2639 (1995).
15. H. Y. Liu, W. Zhou, D. Ding, W. H. Jiang, B. Xu, J. B. Liang, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 76, 3741 (2000).
16. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).