Electrical study on indium-rich InGaN/GaN multi-quantum-well system

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 5 I, 2006, Pages 2132-2135

  Kim, E K ^a   Kim, J S ^a   Kwon, S Y ^b   Kim, H J ^b   Yoon, E ^b  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

Deep level transient spectroscopy; Energy level; InGaN GaN; Quantum well

Indexed keywords

EID: 33845668240     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (20)

1. R. A. Taylor, J. W. Robinson, J. H. Rice, A. Jarjour, J. D. Smith, R. A. Oliver, G. A. D. Briggs, M. J. Kappers, C. J. Humphreys and Y. Arakawa, Physica E 21, 285 (2004).
2. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. RouviNere and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
3. K. Tachibana, T. Someya and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 74, 383 (1998).
4. Y. Arakawa, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 8, 823 (2002).
5. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
6. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L8 (1993).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagarama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 135, L74 (1996).
8. Y.-H. Kim, C.-S. Kim, S.-K. Noh, S.-I. Ban, S.-G. Kim, K.-Y. Lim and B.-S. O, J. Korean Phys. Soc. 42, S285 (2003).
9. K. Kyhm, J. D. Smith and R. A. Taylor, J. Korean Phys. Soc. 47, S360 (2005).
10. S.-Y. Kwon, H. J. Kim, H. Na, Y.-W. Kim, H.-C. Seo, H. J. Kim, Y. Shin, E. Yoon, Y. Sun, Y.-H. Cho, J.-W. Yoon and H. M. Cheong, J. Korean Phys. Soc. 46, S130 (2005).
11. M. S. Jeong, D.-K. Ko, J. Lee, H. J. Kim, Y.-W. Kim, E. K. Suh and J. O. White, J. Korean Phys. Soc. 47, S209 (2005).
12. C. Paranthoen, C. Platz, G. Moreau, N. Bertru, O. Dehaese, A. Le Corre, P. Miska, J. Even, H. Folliot, C. Labbe, G. Patriarche, J. C. Simon and S. Loualiche, J. Crystal Growth 251, 230 (2003).
13. E. K. Kim, J. S. Kim, H. Hwang, K. Park, E. Yoon, J. H. Kim, I.-W. Park and Y. J. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 3825 (2004).
14. J. S. Kim, E. K. Kim, H. J. Kim, E. Yoon and Y. J. Park, Phys. Stat. Sol. B 241, 2811 (2004).
15. J. S. Kim, E. K. Kim, K. Park, E. Yoon, L.-W. Park and Y. J. Park, J. Korean Phys. Soc. 45, 1296 (2004).
16. J. S. Kim, E. K. Kim, S. J. Lee and S. K. Noh, J. Korean Phys. Soc. 46, S163 (2005).
17. S.-Y. Kwon, S.-I. Baik, Y.-W. Kim, H. J. Kim, D.-S. Ko, E. Yoon, J.-W. Yoon, H. Cheong and Y.-S. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 192105 (2005).
18. S.-Y. Kwon, H. J. Kim, H. Na, H.-C. Seo, H. J. Kim, Y. Shin, Y.-W. Kim, S. Yoon, H. J. Oh, C. Sone, Y. Park, Y. Sun, Y.-H. Cho and E. Yoon, Phys. Stat. Sol. C 0, 2830 (2003).
19. P. Blood and J. W. Orton, The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (Academic Press, London, 1992), p. 288.
20. P. Blood and J. W. Orton, The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (Academic Press, London, 1992), p. 421.